[发明专利]具有刚性支撑的薄倒置变质多结太阳能电池

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，其包括：

提供第一衬底；

在第一衬底上沉积形成太阳能电池的半导体材料层序列；

在所述层序列的顶部上安装替代衬底；

移除所述第一衬底；以及

将所述替代衬底薄化到预定厚度；

其中所述沉积半导体材料层序列的步骤包含在所述衬底上形成具有 第一带隙的第一太阳能子电池；在所述第一子电池上方形成具有小于所 述第一带隙的第二带隙的第二太阳能子电池；在所述第二太阳能子电池 上方沉积约1.0微米厚的障壁层；在所述障壁层上方形成具有大于所述 第二带隙的第三带隙的分级夹层；形成具有小于所述第二带隙的第四带 隙的第三太阳能子电池以使得所述第三子电池相对于所述第二子电池 晶格失配。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体材料层序列形成包含第 一、第二和第三太阳能子电池的三结太阳能电池。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述安装步骤包含将所述太阳能电池 粘附到所述替代衬底。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述替代衬底是蓝宝石晶片。

5.根据权利要求3所述的方法，其中通过研磨、抛光或蚀刻来完成所述替 代衬底的所述薄化。

6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括在所述半导体层序列上方沉 积金属接触层，以及在所述金属接触层的顶部上安装所述替代衬底。

7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括蚀刻一穿过所述半导体材料 层到达所述金属接触层的所述顶部的开口。

8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括将电导体焊接到所述金属接 触层以形成到所述太阳能电池的电接触。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述电导体形成到邻近太阳能电池的 电连接。

10.根据权利要求3所述的方法，其中所述替代衬底是导电的，且所述衬底 形成到所述太阳能电池的电接触。

11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述太阳能电池附接到玻 璃支撑部件。

12.根据权利要求1所述的制造太阳能电池的方法，其中所述第一衬底是由 GaAs组成。

13.根据权利要求2所述的制造太阳能电池的方法，其中所述第一太阳能子 电池是由InGa(Al)P发射极区和InGa(Al)P基极区组成。

14.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二太阳能子电池是由InGaP发 射极区和GaAs基极区组成。

15.根据权利要求2所述的方法，其中所述第三太阳能子电池是由InGaAs 组成。

16.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在刚性盖片玻璃上安装所述太阳能电池。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述替代衬底的所述薄化移除所述整 个替代衬底。

18.一种多结太阳能电池，其包括：

第一太阳能子电池，其具有第一带隙；

第二太阳能子电池，其设置在所述第一子电池上方且具有小于所述第 一带隙的第二带隙；

障壁层，其设置在所述第二太阳能子电池的上方，约1.0微米厚；

分级夹层，其设置在所述障壁层的上方且具有大于所述第二带隙的第 三带隙；

第三太阳能子电池，其设置在所述夹层上方，其相对于所述第二太阳 能子电池晶格失配并具有小于所述第二带隙的第四带隙；以及

刚性盖片玻璃，其支撑所述第一、第二和第三太阳能子电池。

19.根据权利要求18所述的多结太阳能电池，其中所述第一太阳能子电池 是顶部电池且由InGa(Al)P组成。