[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅极图案，形成在半导体衬底上；

第一掺杂区域，形成在位于所述栅极图案一侧的所述半 导体衬底中，和第二掺杂区域，形成在位于所述栅极图案另一 侧的所述半导体衬底中；

自对准多晶硅化物屏蔽膜图案，部分地覆盖所述第一掺 杂区域或所述第二掺杂区域，其中，所述自对准多晶硅化物屏 蔽膜图案包括氧化硅膜和氮化硅膜中的至少一种；

绝缘膜，形成在所述半导体衬底和自对准多晶硅化物屏 蔽膜图案上，所述绝缘膜包括第一孔和第二孔，所述第一孔暴 露所述自对准多晶硅化物屏蔽膜图案，所述第二孔部分地暴露 没有被所述自对准多晶硅化物屏蔽膜图案部分覆盖的所述第 一掺杂区域或所述第二掺杂区域；以及

第一线，穿过所述第一孔与所述自对准多晶硅化物屏蔽 膜图案接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述自对准多晶硅 化物屏蔽膜图案具有在200埃到600埃之间的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述自对准多晶硅 化物屏蔽膜图案用于改变所述第一线的编码设计。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第二线，形成在所述第二孔中，所述第二线连接至没有 被所述自对准多晶硅化物屏蔽膜图案部分覆盖的所述第一掺 杂区域或所述第二掺杂区域。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述自对准多晶硅 化物屏蔽膜图案包括：

氧化硅膜，覆盖所述第一掺杂区域或所述第二掺杂区域；

以及

氮化硅膜，形成在所述氧化硅膜上。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一线对应于 源极线，而所述编码由高变化到低。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二线对应于 漏极线。

8.一种用于制造具有编码改变的晶体管的半导体器件的方法，包 括：

在半导体衬底上形成栅极图案；

在所述栅极图案一侧的所述半导体衬底中形成第一掺杂 区域以及在所述栅极图案另一侧的所述半导体衬底中形成第 二掺杂区域；

在所述半导体衬底和所述栅极图案的整个表面的上方形 成自对准多晶硅化物屏蔽膜，其中，所述自对准多晶硅化物屏 蔽膜包括氧化硅膜和氮化硅膜中的至少一种；

在所述自对准多晶硅化物屏蔽膜上形成光刻胶图案以便 实施编码转换；

使用所述光刻胶图案作为掩模来图案化所述自对准多晶 硅化物屏蔽膜以便形成自对准多晶硅化物屏蔽膜图案；

在所述半导体衬底和所述自对准多晶硅化物屏蔽膜图案 上形成金属层；

对所述金属层和所述自对准多晶硅化物屏蔽膜图案进行 退火以便形成自对准多晶硅化物；

在形成所述自对准多晶硅化物之后去除残留的所述金属 层并在所述半导体衬底上形成绝缘膜；

图案化所述绝缘膜以形成第一孔和第二孔；以及 形成穿过所述第一孔与所述自对准多晶硅化物屏蔽膜图 案接触的第一线以便改变晶体管设计。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述晶体管是非易失性存 储器件。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述自对准多晶硅化物屏 蔽膜包括氧化硅膜。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，通过改变用于形成所述自 对准多晶硅化物屏蔽膜图案的所述掩模的设计来改变所述晶 体管的编码。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述自对准多晶硅化物屏 蔽膜图案具有在200埃到600埃之间的厚度。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述形成所述自对准多晶 硅化物屏蔽膜的步骤包括：

在所述半导体衬底上形成氧化硅膜；以及

在所述氧化硅膜上形成氮化硅膜。