[发明专利]非挥发性内存的制造方法及其结构

权利要求书

1.一种非挥发性内存的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一半导体层于该基板上；

形成一富硅介电材料层直接位于该半导体层上；

进行一镭射退火工艺，使得该富硅介电材料层中形成一电荷穿遂区、一电荷储存区与一电荷阻挡区，其中该电荷穿遂区位于该半导体层上，该电荷储存区具有多个硅纳米微晶粒，并该电荷储存区位于该电荷穿遂区上，以及该电荷阻挡区，由该富硅介电材料组成，并位于该电荷储存区上，其中，该镭射退火工艺操作温度低于400℃；以及；

形成一栅极直接位于具有所述硅纳米微晶粒的该富硅介电材料层上。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成该半导体层的步骤包括：

形成一非晶硅层于该基板上；以及

将该非晶硅层转变为一多晶硅层以作为该半导体层。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成该半导体层的步骤包括：

形成一非晶硅层于该基板上；以及

进行该镭射退火工艺中，同时将该非晶硅层转变为一多晶硅层以作为该半导体层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该方法还包括：

局部掺杂该半导体层，以在该半导体层中形成一第一掺杂区、一第二掺杂区以及介于二者之间的一通道区。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，于该栅极形成的步骤之后，该制造方法还包括：

形成一内层介电层于该半导体层、该栅极以及该电荷储存介电层上方。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在该内层介电层形成的步骤之后，该制造方法还包括：

形成一第一开口以及一第二开口于该内层介电层上，以分别暴露出该半导体层的该第一掺杂区及该第二掺杂区。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在所述开口形成的步骤之后，该制造方法还包括：

形成一源极电极于该第一开口内与该内层介电层上，该源极电极通过该第一开口与该第一掺杂区电性连接；以及

形成一基极电极于该第二开口内与该内层介电层上，且该基极电极通过该第二开口与该第二掺杂区电性连接。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，于提供该基板的步骤之后及形成该半导体层的步骤之前，该制造方法还包括：

形成一缓冲层于该基板上。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该富硅介电材料包括富硅氧化硅、富硅氮化硅或富硅氮氧化硅其中至少一个。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该富硅介电材料的折射率大于1.5。

11.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该富硅介电材料的分子式为SiO_x，其中x大于0且小于2。

12.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该富硅介电材料的分子式为SiN_y，其中y大于0且小于4/3。

13.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该富硅介电材料的分子式为SiO_xN_y其中(x+y)大于0且小于2。

14.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该富硅介电材料为一吸光材料。

15.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该镭射退火工艺包括一准分子镭射退火工艺。