[发明专利]用于字符线多重平坦化的阶梯式多重回蚀工艺

权利要求书

1.一种字符线蚀刻的方法，其特征在于，该方法至少包含下述步骤：

(a)图刻一字符线；

(b)在该字符在线沉积一层多晶硅；

(c)在该层多晶硅上沉积一层底部抗反射材料；

(d)使用一阶梯式蚀刻法蚀刻该底部抗反射层及该多晶硅层，该阶梯式蚀刻法会移除该底部抗反射层及一部分该多晶硅层；

(e)在该已蚀刻的多晶硅层顶部表面沉积一介电层；以及

(f)在该介电层上施加一掩膜层，并蚀刻至少一图形至该多晶硅层；其中该阶梯式蚀刻法包含一第一蚀刻循环，其包含一第一蚀穿及一第一软性着陆蚀刻；以及一第二蚀刻循环，其包含一第二蚀穿及一第二软性着陆蚀刻，且其中该第一及第二蚀穿是使用四氟化碳气体来执行，而该第一及第二软性着陆蚀刻是使用溴化氢及氧化氦的复合气体来执行。

2.根据权利要求1所述的字符线蚀刻的方法，其特征在于，从截面来看该已蚀刻多晶硅层的该顶部表面，其具有至少一弯曲面。

3.根据权利要求1所述的字符线蚀刻的方法，其特征在于，沉积一层多晶硅的步骤会产生具有厚度为1500埃的一多晶硅层，而沉积一底部抗反射层的步骤会产生具有厚度为1600埃的一底部抗反射层。

4.一种蚀刻方法，其特征在于，该方法至少包含下述步骤：

(a)提供上面具有许多字符线的一基板；

(b)在所述字符线上沉积一层多晶硅；

(c)在该层多晶硅上沉积一层有机旋涂式材料；

(d)使用一阶梯式蚀刻法以蚀刻该有机旋涂式材料层及该多晶硅层，该阶梯式蚀刻会去除该有机旋涂式材料层及该多晶硅层的一厚度，使该多晶硅层不会覆盖于每一个所述字符线的顶部表面；

(f)在该已蚀刻多晶硅层的顶部表面上沉积一介电层；以及

(g)在该介电层上施加一掩膜层，并在该多晶硅层上蚀刻至少一图形；其中该阶梯式蚀刻包含一第一蚀刻循环，其包含一第一蚀穿及一第一软性着陆蚀刻；以及一第二蚀刻循环，其包含一第二蚀穿及一第二软性着陆蚀刻，且其中该第一及第二蚀穿是使用四氟化碳气体来执行，而该第一及第二软性着陆蚀刻是使用溴化氢及氧化氦的复合气体来执行。

5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，沉积一层多晶硅的步骤会产生具有厚度为1500埃的一多晶硅层，而沉积一底部抗反射层的步骤会产生具有厚度为1600埃的一底部抗反射层。

6.一种蚀刻方法，其特征在于，该方法至少包含下述步骤：

(a)提供一位于基板上的快闪存储单元，该快闪存储单元包含一字符线；

(b)在该字符线上沉积一层多晶硅；

(c)在该快闪存储单元周围表面上沉积一介电层；

(d)在该多晶硅层上沉积一有机底部抗反射层；

(e)执行一阶梯式蚀刻法将该有机底部抗反射层、该介电层及该多晶硅层的高度蚀刻到该字符线顶部表面之下；

(f)在该已蚀刻多晶硅层及该字符在线沉积一介电层；

(g)在该介电层上施加一掩膜；以及

(h)蚀刻该介电层及该多晶硅层以制造一蚀刻图形，其中该阶梯式蚀刻包含一第一蚀刻循环，其包含一第一蚀穿及一第一软性着陆蚀刻；以及一第二蚀刻循环，其包含一第二蚀穿及一第二软性着陆蚀刻，且其中该第一及第二蚀穿是使用四氟化碳气体来执行，而该第一及第二软性着陆蚀刻是使用溴化氢及氧化氦的复合气体来执行。