[发明专利]操作非易失性存储器件的方法

权利要求书

1.一种操作非易失性存储器件的方法，所述方法包括：

通过向构成存储块的存储单元的字线施加第一编程电压来执行第一 编程操作，并根据所述第一编程操作的结果测量所述存储单元的阈值电 压；

使用第二编程电压执行第二编程操作，其中所述第二编程电压被增大 第一阈值电压与第二阈值电压之差那样大的量，所述第一阈值电压是所述 测量的阈值电压中的最低电压电平，所述第二阈值电压是所述测量的阈值 电压中的中间电压电平；并且

通过将所述第二编程电压增大所述第一与第二阈值电压之差那样大 的量来重复执行所述第二编程操作，直到最近一次第二编程操作之后测量 的存储单元的阈值电压中的最低阈值电压变得大于编程验证电压才停止， 并通过反映第一电压电平来设置忽略电压，其中所述第一电压电平是在最 后一个编程执行步骤中施加的编程电压与所述第一编程电压之差。

2.根据权利要求1的方法，其中所述第二阈值电压是大多数所述存 储单元的阈值电压电平。

3.根据权利要求1的方法，其中所述忽略电压的设置值是：将在执 行所述第一编程操作之前设置的参考忽略电压减去所述第一电压电平所 得的结果。

4.根据权利要求1的方法，其中在设置所述忽略电压之后，对所述 存储块执行擦除，并在后续操作中使用所述设置的忽略电压。

5.一种操作非易失性存储器件的方法，所述方法包括：

设置构成存储块的存储单元的标准阈值电压电平，通过向所述存储单 元的字线施加第一编程电压来执行编程操作，并根据所述编程操作的结果 测量所述存储单元的阈值电压；

将所述测量的阈值电压中的中间电压电平设置为代表性阈值电压；并 且

将编程电压差设置为所述标准阈值电压电平与所述代表性阈值电压 电平之间的电压差，并通过反映所述编程电压差来设置忽略电压。

6.根据权利要求5的方法，其中所述代表性阈值电压是大多数所述 存储单元的阈值电压电平。

7.根据权利要求5的方法，其中所述忽略电压的设置值是：将在执 行所述编程操作之前设置的参考忽略电压减去所述编程电压差所得的结 果。

8.根据权利要求5的方法，其中在设置所述忽略电压之后，对所述 存储块执行擦除，并在后续操作中使用所述设置的忽略电压。

9.一种操作非易失性存储器件的方法，所述方法包括：

设置构成存储块的存储单元的标准阈值电压电平，通过向所述存储单 元的字线施加第一编程电压来执行编程操作，并根据所述编程操作的结果 测量所述存储单元的阈值电压；

将所述测量的阈值电压中的中间电压电平设置为代表性阈值电压；并 且

基于所述标准阈值电压电平与所述代表性阈值电压电平之间的电压 差设置编程电压差，并基于所述设置的编程电压差设置忽略电压。

10.根据权利要求9的方法，其中所述代表性阈值电压是大多数所述 存储单元的阈值电压电平。

11.根据权利要求9的方法，其中所述忽略电压的设置值是：将在执 行所述编程操作之前设置的参考忽略电压减去所述编程电压差所得的结 果。

12.根据权利要求9的方法，其中在设置所述忽略电压之后，对所述 存储块执行擦除，并在后续操作中使用所述设置的忽略电压。