[发明专利]形成半导体器件图案的方法

权利要求书

1.一种在半导体器件上形成图案的方法，所述方法包括：

在衬底上设置光掩模，所述光掩模包含多个具有第一间距的狭缝；

在设置在所述衬底上的目标层上形成光刻胶层；

发射光穿过所述光掩模的狭缝，发射穿过所述光掩模的狭缝的所述光分别在所述光刻胶层的第一位置、第二位置、第三位置和第四位置限定具有最大强度、第一中间强度、第二中间强度和最小强度的波；和

移除所述光刻胶层对应于所述第二和第三位置的部分以形成光刻胶图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻胶层包括与穿过所述狭缝的中间强度的光发生反应的材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光掩模的狭缝限定第一间距，并且所述光刻胶图案限定第二间距，其中所述第二间距是所述第一间距的1/2。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一中间强度和所述第二中间强度具有基本相同的强度。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：调整所述光掩模和所述光刻胶层之间的距离。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述调整步骤在实施所述发射步骤之前实施。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述调整步骤通过调整所述光掩模或所述衬底的高度来实施，使得对应于所述第一中间强度和所述第二中间强度的光照射到所述光刻胶层上。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括使用所述光刻胶图案蚀刻所述目标层。

9.一种在半导体器件上形成图案的方法，所述方法包括：

在限定有第一区域和第二区域的衬底上形成目标层；

在所述目标层上形成第一和第二硬掩模层；

在所述硬掩模层上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层包括与中间强度的光发生反应的材料；

提供具有第一部分和第二部分的第一光掩模，所述第一部分和所述第二部分分别对应于所述衬底的所述第一区域和所述第二区域，所述第一光掩模的第一部分具有多个限定第一间距的狭缝，所述第一光掩模的第二部分没有狭缝；

发射光穿过所述第一光掩模的第一部分的狭缝，以使所述衬底的第一区域暴露于所述光；

在所述第一区域设置具有第一光刻胶图案的所述第一光刻胶层，所述第一光刻胶图案具有比所述第一间距更小的第二间距；和

使用所述第一光刻胶图案，图案化所述第一区域上的所述第一硬掩模层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在图案化在所述第一区域上的所述第一硬掩模层之后，移除所述第一光刻胶图案；

在所述第一和第二硬掩模层上形成第二光刻胶层；

发射光穿过具有第一部分和第二部分的第二光掩模，所述第一部分和所述第二部分分别对应于所述衬底的所述第一区域和所述第二区域，所述第二光掩模的第一部分没有狭缝，所述第二光掩模的第二部分具有多个限定第三间距的狭缝；

在所述第二区域设置具有第二光刻胶图案的所述第二光刻胶层，所述第二光刻胶图案限定第四间距，所述第三间距和所述第四间距基本相同；

使用所述第二光刻胶图案，图案化至少位于所述第二区域的所述第一硬掩模层；和

使用至少所述第一和第二区域已被图案化的所述第一硬掩模层，图案化所述目标层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中使用所述第二光刻胶图案在所述第二区域图案化所述第二硬掩模层。

12.根据权利要求9所述的方法，其中移除所述第一光刻胶层被中间强度的光照射的部分，以形成所述第一光刻胶图案。

13.根据权利要求9所述的方法，其中不移除所述第一光刻胶层被最大或最小强度的光照射的部分，以形成所述第一光刻胶图案。