[发明专利]固体电解电容器

说明书

技术领域

本发明涉及固体电解电容器。

背景技术

一般固体电解电容器通过以下方式构成：通过对由铌(Nb)、钽(Ta) 等阀作用金属构成的阳极进行阳极氧化，在其表面上形成主要由氧化 物构成的电介质层，在该电介质层上形成电解质层，并在其上形成阴 极层。作为电解质层，例如提案叠层有由通过化学聚合法形成的聚吡 咯构成的第一导电性高分子层、和由通过电解聚合法形成的聚吡咯构 成的第二导电性高分子层的结构(例如，参照日本特开平4-48710号公 报)。

但是，在这样的现有的固体电解电容器中，存在在电介质层与电 解质层的界面发生剥离，静电电容下降的问题。特别是在高温试验、 部件安装时的回流(reflow)工序等中实施热处理的情况下，界面上的 剥离变得更加显著，静电电容进一步下降(劣化)。因此，在近年来的 固体电解电容器中强烈要求这样的特性的改善。

发明内容

本发明是鉴于以上问题而完成的，其目的是提供一种能够抑制静 电电容的劣化的固体电解电容器。

为了达成上述目的，本发明的固体电解电容器的特征在于：在阳 极与包括导电性高分子层的阴极之间，设置有与该导电性高分子层接 触设置的电介质层，在导电性高分子层与电介质层的界面上形成有空 孔。

根据本发明，能够提供一种能够抑制静电电容的劣化的固体电解 电容器。

附图说明

图1是表示本实施方式的固体电解电容器的结构的概略截面图。

图2是图1的固体电解电容器的阳极体附近的放大图。

图3(A)、图3(B)是实施例1的固体电解电容器的阳极体附近 的截面SEM像和与该截面SEM像对应的阳极体附近的示意图。

具体实施方式

以下，根据附图对将本发明具体化的实施方式进行说明。而且， 本发明并不限定于该实施方式。图1是表示本实施方式的固体电解电 容器的结构的概略截面图。图2是图1的固体电解电容器的阳极体附 近的放大图，相当于构成阳极体的一个金属粒子的截面结构。

如图1所示，本实施方式的固体电解电容器包括：阳极体1；在该 阳极体1的表面上形成的电介质层2；在电介质层2上形成的导电性高 分子层3；和在该导电性高分子层3上形成的阴极层4。并且，如图2 所示，在导电性高分子层3与电介质层2的界面上形成有空孔3a。这 样的空孔3a以电介质层2从其内面露出的状态，沿着导电性高分子层 3与电介质层2的界面分散存在。此处，所谓的本实施方式的“空孔”， 表示在导电性高分子层3与电介质层2的界面上，对于电介质层2侧 的导电性高分子层3的表面的凹部，该凹部的内部为空洞的状态。

具体的固体电解电容器的结构如下所述。

阳极体1通过由阀作用金属构成的金属粒子的多孔质烧结体构成， 在其内部埋入有由阀作用金属构成的阳极引线1a的一部分。此处，作 为构成阳极引线1a和阳极体1的阀作用金属，采用能够形成绝缘性的 氧化膜的金属材料，例如铌、钽、钛(Ti)等。此外，也可以采用上述 阀作用金属彼此的合金。

电介质层2通过由阀作用金属的氧化物构成的电介质构成，设置 在阳极引线1a和阳极体1的表面上。例如，在阀作用金属由铌金属构 成的情况下，电介质层2为氧化铌(Nb₂O₅)。此外，在本实施方式中， 在电介质层2内含有氟(F)，氟偏向于电介质层2的阳极侧而存在。 具体而言，氟在电介质层2的厚度方向(从电介质层2的阴极侧朝向 阳极侧的方向)具有浓度分布，氟的浓度在电介质层2与阳极体1的 界面上最大。