[发明专利]用于氢气制造用过滤器的薄膜支持基板及氢气制造用过滤器制造方法无效

专利信息
申请号: 200810131734.8 申请日: 2003-07-23
公开(公告)号: CN101422704A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 八木裕;前田高德;太田善纪;内田泰弘 申请(专利权)人: 大日本印刷株式会社
主分类号: B01D71/02 分类号: B01D71/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨松龄
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 用于 氢气 制造 过滤器 薄膜 支持 方法
【权利要求书】:

1.一种氢气制造用过滤器的制造方法,是使用薄膜支持基板的氢 气制造用过滤器的制造方法,其特征是,所述薄膜支持基板包括:金 属基板;在该金属基板的一个面上形成的多个柱状凸部;及在该柱状 凸部的非形成部位以贯通金属基板的方式形成的多个贯通孔,并且, 柱状凸部的非形成部位的面积占形成有柱状凸部的面一侧的面积的 20%~90%的范围,所述金属基板的柱状凸部的非形成部位的厚度为 20~300μm,所述氢气制造用过滤器的制造方法包括:

在所述薄膜支持基板的形成柱状凸部的面的相反一侧的面上,配 设绝缘性薄膜的配设工序;

在所述薄膜支持基板的形成柱状凸部的面上形成镀铜层,将所述 贯通孔的内部填补并覆盖柱状凸部的镀铜工序;

把所述镀铜层平坦地除去,使所述柱状凸部的上端面露出,并与 该上端面构成相同的同一平面的平坦化工序;

通过电镀在所述柱状凸部的上端与镀铜层构成的平坦面上形成Pd 合金膜的膜形成工序;及

在除去所述绝缘性薄膜后,通过选择性蚀刻除去镀铜层的除去工 序。

2.根据权利要求1所述的氢气制造用过滤器的制造方法,其特征 是,在所述的膜形成工序中,通过电解电镀形成Pd合金膜。

3.根据权利要求1所述的氢气制造用过滤器的制造方法,其特征 是,在所述的膜形成工序中,首先,通过电镀将构成Pd合金的各种成 分的薄膜层叠,之后,进行热处理,通过成分扩散形成Pd合金膜。

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