[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有至少一个第二传导率类型的阱区的有源部分，所述第二传导率类 型的阱区选择性地形成在第一传导率类型的半导体层的表面层内；以及

围绕所述有源部分的击穿电压保持结构，所述击穿电压保持结构包括：

环形的第二传导率类型的第一半导体区，所述环形的第二传导率类型 的第一半导体区以比阱区的杂质浓度低且比半导体层的杂质浓度高的杂质 浓度形成为半导体层的表面层，以便环绕阱区中的最外部的一个且与之接 触；

环形的第二传导率类型的第二半导体区，所述环形的第二传导率类型 的第二半导体区以与所述第一半导体区相同的杂质浓度和相同的扩散深度 形成以便于环绕所述第一半导体区且与之接触；

一个或多个环形的第二传导率类型的第三半导体区，所述一个或多个 环形的第二传导率类型的第三半导体区以与所述第二半导体区相同的杂质 浓度和相同的扩散深度形成，以便于环绕所述第二半导体区且与之接触或 分离；

环形的第一传导层，所述环形的第一传导层在所述第一半导体区上形 成且绝缘薄膜介于它们之间以便于与最外部的阱区接触；

环形的第二传导层，所述环形的第二传导层在所述第二半导体区上形 成且绝缘薄膜介于它们之间；以及

一个或多个环形的第三传导层，所述一个或多个环形的第三传导层在 相应第三半导体区上形成且绝缘薄膜介于它们之间，所述第二传导层与所 述第二半导体区接触并且所述第三传导层与相应第三半导体区接触，

其中所述第一传导层和第二传导层相互分离，第二传导层的内端部凸 出于所述第一半导体区之上，所述第二传导层和所述第三传导层相互分离， 且所述第三传导层的内端部凸出于所述第二半导体区之上。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二和第三半 导体区是保护环。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，弯曲部分在第一、 第二、和第三半导体区的每一个与所述半导体层之间的边界上形成，且所 述弯曲部分的邻接处的端部具有重叠部分或间隙，随着位置离开所述第一 半导体区所述重叠部分变小或所述间隙变宽。

4.如权利要求1到3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述 多个第三传导层中的每一个的内端部凸出于直接内接的第三半导体区之 上，所述多个第三传导层在相应第三半导体区上形成以相互分离。

5.如权利要求1到3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述 多个第三传导区相互分离且具有间隙，所述间隙随着位置离开所述第二半 导体区而变宽。

6.如权利要求1到3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述 击穿电压保持结构进一步包括接触区，所述接触区以比所述第二和第三半 导体区的分别与所述第二和第三传导层接触的一部分的杂质浓度高的杂质 浓度形成为所述第二和第三半导体区的表面层。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，接触区全圆周地形 成为所述第三半导体区中的最外部的一个的表面层，以便与所述相关联的 第三传导层接触。

8.如权利要求1到3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述 第一、第二和第三传导层是多晶硅层低电阻率层、金属薄膜或多晶硅层低 电阻率层和金属薄膜的层合薄膜。

9.如权利要求1到3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述 阱区的表面浓度比所述半导体层的杂质浓度高出100倍以上，且所述第一、 第二和第三半导体区的表面浓度比所述半导体层的杂质浓度高出10到100 倍。