[发明专利]发光二极管封装结构

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管包含：

一承载单元；

一发光二极管芯片，位于所述承载单元上；以及

一复合材料层，局部或完全覆盖于所述承载单元的表面，所述复合材料层包含：

一树脂材料，具有一第一折射系数，第一折射系数介于1.3至1.6之间；以及

一无机介电材料，掺混于所述树脂材料内，所述无机介电材料掺混于所述树脂材料的重量百分比大于10％，所述无机介电材料具有一第二折射系数，所述第二折射系数介于1.7至2.3之间，所述第一折射系数小于所述第二折射系数，且所述第一折射系数与所述第二折射系数的差值至少大于0.2。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述树脂材料为硅胶。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述无机介电材料为氮化硼。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述无机介电材料选自于氧化铝、氮化铝、氧化铍、硫酸钡、氧化镁、氧化锆及其组合所组成的群组。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述复合材料层对于可见光或紫外光的反射率大于或等于85％。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述承载单元包含一底部与一侧壁而形成一容置空间，所述发光二极管芯片位于所述底部上且位于所述容置空间内。

7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述复合材料层覆盖于所述侧壁与所述底部的表面。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构更包括至少一反射电极，所述反射电极位于所述发光二极管芯片与所述承载单元之间。

9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述复合材料层覆盖相邻于所述反射电极的所述承载单元的表面。

10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管芯片为一可见光发光二极管芯片或一紫外光发光二极管芯片。

11.如权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述紫外光发光二极管芯片的紫外光波长范围介于300纳米至430纳米之间。

12.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述承载单元的尺寸规格小于或等于2.6毫米*1.6毫米*1.0毫米。

13.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包含：

一承载单元，具有一底部与一侧壁而形成一容置空间，所述侧壁为复合材料层，所述的复合材料层包括：

一树脂材料，具有一第一折射系数，第一折射系数介于1.3至1.6之间；以及

一无机介电材料，掺混于所述树脂材料内，所述无机介电材料掺混于所述树脂材料的重量百分比大于10％，所述无机介电材料具有一第二折射系数，所述第二折射系数介于1.7至2.3之间，所述第一折射系数小于所述第二折射系数，且所述第一折射系数与所述第二折射系数的差值至少大于0.2；以及

一发光二极管芯片，位于所述底部上且位于所述容置空间内。

14.如权利要求13所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述树脂材料为硅胶。

15.如权利要求13所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述树脂材料为聚对苯二酰对苯二胺、聚甲基丙烯酸甲酯、环氧树脂、聚乙烯对苯二甲酸酯或聚碳酸树脂。

16.如权利要求13所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述无机介电材料为氮化硼。

17.如权利要求13所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述无机介电材料选自于氧化铝、氮化铝、氧化铍、硫酸钡、氧化镁、氧化锆及其组合所组成的群组。

18.如权利要求13所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述无机介电材料掺混于所述树脂材料的重量百分比大于10％。

19.如权利要求13所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述底部或所述侧壁对于可见光或紫外光的反射率大于或等于85％。