[发明专利]包括具有两个栅极的感应晶体管的图像传感器及操作方法有效

专利信息
申请号: 200810131347.4 申请日: 2008-08-06
公开(公告)号: CN101556962A 公开(公告)日: 2009-10-14
发明(设计)人: 薛光洙;朴星一 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/522;H01L29/423;H01L29/78;H04N5/335;H04N5/235
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 郭鸿禧;杨 静
地址: 韩国京畿道*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 包括 具有 两个 栅极 感应 晶体管 图像传感器 操作方法
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,包括:

光电转换装置;

感应晶体管,具有连接到浮置扩散区的第一栅极以及与第一栅极分开的 第二栅极,其中,在浮置扩散区中存储从光电转换装置产生的电荷;

重置晶体管,连接到浮置扩散区并重置浮置扩散区的电势;

控制电压源,将控制电压提供到第二栅极;

列输出线,连接到感应晶体管的源极;

行选择晶体管,所述行选择晶体管包括连接到感应晶体管的源极的漏极 和连接到列输出线的源极,并在像素阵列中选择包括感应晶体管的行。

2.如权利要求1所述的图像传感器,还包括传输晶体管,所述传输晶体 管形成在浮置扩散区和光电转换装置之间,将从光电转换装置产生的电荷传 输到浮置扩散区。

3.如权利要求1所述的图像传感器,其中,感应晶体管的漏极连接到外 部输入电压。

4.如权利要求1所述的图像传感器,其中,第一栅极和第二栅极在晶体 管沟道上分隔开。

5.如权利要求4所述的图像传感器,其中,第一栅极的一部分与第二栅 极的一部分结合,并且在第一栅极和第二栅极之间插入介电层。

6.如权利要求1所述的图像传感器,其中,第一栅极和第二栅极设置在 晶体管沟道的两侧上以彼此面对。

7.如权利要求6所述的图像传感器,其中,第一栅极和第二栅极垂直设 置。

8.一种操作如权利要求1所述的图像传感器的方法,所述方法包括如下 步骤:

重置浮置扩散区的电势;

将光照射到光电转换装置上;

当在逐渐增加施加到第二栅极的电压的同时感应晶体管导通时,确定提 供到第二栅极的第一电压;

计算第一栅极电压;

通过第一栅极电压计算照射到光电转换装置上的光的强度。

9.如权利要求8所述的方法,其中,计算第一栅极电压的步骤包括通过 参照预先准备的查找表来得到根据第一电压的第一栅极电压。

10.如权利要求8所述的方法,其中,确定第一电压的步骤包括当从列 输出线测量的列电流大于参考电流时确定感应晶体管导通。

11.如权利要求8所述的方法,其中,第一栅极和第二栅极在晶体管沟 道上分隔开。

12.如权利要求8所述的方法,其中,第一栅极的一部分与第二栅极的 一部分结合,并且在第一栅极和第二栅极之间插入介电层。

13.如权利要求8所述方法,其中,第一栅极和第二栅极设置在晶体管 沟道的两侧上以彼此面对。

14.如权利要求13所述的方法,其中,第一栅极和第二栅极垂直设置。

15.一种操作如权利要求1所述的图像传感器的方法,所述方法包括如 下步骤:

重置浮置扩散区的电势;

将光照射到光电转换装置上;

将第二电压施加到第二栅极;

确定感应晶体管是否导通;

当在感应晶体管没有导通的情况下,通过逐渐增加施加到第二栅极的电 压而导通感应晶体管时,测量提供到第二栅极的第三电压;

计算第一栅极电压;

通过第一栅极电压的值来计算照射到光电转换装置上的光的强度。

16.如权利要求15所述的方法,其中,确定感应晶体管是否导通的步骤 包括确定从列输出线测量的输出电流是否大于参考电流,如果输出电流大于 参考电流,则使用输出电流计算第一栅极电压。

17.如权利要求15所述的方法,其中,计算第一栅极电压的步骤包括通 过参照预先准备的查找表来得到根据第三电压的第一栅极电压。

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