[发明专利]电光装置及电子设备有效
| 申请号: | 200810131315.4 | 申请日: | 2008-08-01 |
| 公开(公告)号: | CN101359140A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
| 发明(设计)人: | 中川雅嗣 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L29/786;G03B21/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电光 装置 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及如液晶装置等的电光装置及具备该电光装置的如液晶投影 机等电子设备的技术领域。
背景技术
在这种电光装置中,在由多个像素构成的显示区域按纵横所排列的多 条扫描线及数据线以及对应于它们的各交叉处的多个像素电极,设置于 TFT基板上。这种电光装置普遍采用例如利用TFT(Thin Film Transistor, 薄膜晶体管)驱动的有源矩阵驱动方式,对应于各像素设置像素开关用 TFT。对数据线所供给的图像信号,相应于在各像素所形成的像素开关用 TFT的开关工作,被供给像素电极,在显示区域显示图像。除此之外,在 形成有TFT的TFT阵列基板上,在位于显示区域周边的周边区域,形成 用来控制多个像素的各种周边电路。这种周边电路例如包括TFT等的晶体 管来构成。
例如,在专利文献1中,公示出一种通过调整遮光膜和晶体管的栅电 极、漏电极之间的耦合电容来抑制晶体管特性的劣化、不一致的技术。
专利文献1:特开平10-70277号公报
在这种电光装置作为投影机的光阀来使用时,因为透射周边区域的周 边电路后的透射光一部分对于显示区域斜向行进,所以在显示区域的边缘 附近有可能产生来自周边区域的光泄漏。再者,还有可能产生:进入周边 区域后的折返光在周边电路进行再反射,最后混入从显示区域出射的光的 状况。其结果为,有可能与周边电路处的反射、透射相应的明暗图形(例 如,与构成周边电路的多个晶体管的排列图形相应的明暗图形)在显示图 像的边缘附近被反映出。
因此,有时在基板上的下述晶体管下层侧(或者出射光的出射侧)设 置遮光膜,该晶体管构成周边区域的、在显示区域的边缘附近所设置的周 边电路。据此,可以抑制上述因来自周边区域的光泄漏、周边电路的光反 射导致的对显示图像的不良影响。
但是,存在下述技术上的问题所在,即,有可能因为在构成周边电路 的晶体管下层侧所配置的遮光膜,使晶体管的特性劣化。
发明内容
本发明是例如鉴于上述问题所在而做出的,其目的为提供一种电光装 置及具备这种电光装置的电子设备,其不使例如构成周边电路的晶体管的 特性劣化,可以防止因周边区域的光泄漏、光反射导致的对显示图像的不 良影响,能够显示高品质的图像。
本发明所涉及的第1电光装置为了解决上述问题,其特征为,在基板 上具备:多个像素电极;晶体管,设置于周边区域,该周边区域位于排列 有该多个像素电极的像素区域的周边;以及遮光膜,配置于比该晶体管靠 下层侧,在上述基板上俯视时,与上述晶体管的至少一部分重合,并且形 成有沿上述晶体管的沟道长度方向的长条状开口部。
根据本发明所涉及的第1电光装置,多个像素电极分别例如由ITO (Indiμm Tin Oxide,氧化铟锡)等的透明材料构成,在基板上的像素区 域或像素阵列区域(或者,也称为“图像显示区域”),例如对应于多条数 据线与多条扫描线的交叉处例如排列为矩阵状。晶体管设置在位于像素区 域周边的周边区域,例如构成采样电路、数据线驱动电路等周边电路的至 少一部分。晶体管典型的是,沿着像素区域的一边设置多个。在电光装置 的工作时,例如根据图像信号等,控制像素电极的电位,在排列有多个像 素电极的像素区域进行图像显示。电光装置相应于例如从光源入射的入射 光,在像素区域例如透射显示光来使之出射。电光装置例如作为投影型显 示装置中的光阀来安装。
在本发明中特别是,遮光膜配置于比晶体管靠下层侧,在基板上俯视 时,与晶体管的至少一部分重合。再者,遮光膜具有沿晶体管沟道长度方 向的长条状或缝隙状的开口部。
典型的是,遮光膜设置于比晶体管靠下层侧,使之和构成晶体管的半 导体层重合。遮光膜例如通过相对于沿着像素区域的一边所设置的多个晶 体管的各自分别各设置1个,来沿着该一边设置多个。开口部在遮光膜例 如以小于等于1μm的宽度来形成为沿着晶体管的沟道长度方向(换言之, 为晶体管中载流子流动的方向)延伸。再者,开口部沿着晶体管的沟道宽 度方向(也就是,与沟道长度方向相交的方向)隔开预定间隔形成多个。
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