[发明专利]选择性阻挡层抛光浆液

权利要求书

1.一种可用来对包括铜互连的半导体基片进行化学机械抛光的水性 浆液，所述浆液包含0-25重量％的氧化剂，0.1-30重量％的磨粒，0.001-5重 量％的苯羧酸，0.00002-5重量％的多组分表面活性剂，0.001-10重量％的用 来减少铜互连的静态蚀刻的抑制剂，0-5重量％的用来加快铜互连去除速率 的含磷化合物，0-10重量％的在抛光过程中形成的络合剂，以及余量的水， 所述多组分表面活性剂包含疏水性尾部、非离子型亲水性部分和阴离子型 亲水性部分，所述疏水性尾部包含6-30个碳原子，所述非离子型亲水性部 分包含10-300个碳原子。

2.如权利要求1所述的水性浆液，其特征在于，所述苯羧酸的苯环 包含至少两个羧基。

3.如权利要求1所述的水性浆液，其特征在于，所述浆液包含二氧 化硅磨粒。

4.一种可用来对具有铜互连的半导体基片进行化学机械抛光的水性 浆液，该浆液包含：0.01-15重量％的氧化剂，0.1-40重量％的二氧化硅磨粒， 0.01-3重量％的苯羧酸，0.00005-2重量％的多组分表面活性剂，0.002-5重量 ％的用来减少铜互连的静态蚀刻的吡咯抑制剂，0-3重量％的用来加快铜互 连去除速率的含磷化合物，0.01-5重量％的在抛光过程中形成的有机酸络合 剂，以及余量的水，所述多组分表面活性剂包含疏水性尾部、非离子型亲 水性部分和阴离子型亲水性部分，所述疏水性尾部包含8-20个碳原子，所 述非离子型亲水性部分包含20-200个碳原子；所述水性浆液的pH值为 6-12。

5.如权利要求4所述的水性浆液，其特征在于，所述苯羧酸的苯环包 含2-4个羧基。

6.如权利要求4所述的水性浆液，其特征在于，所述浆液包含平均粒 度小于100纳米的二氧化硅磨粒。

7.如权利要求4所述的水性浆液，其特征在于，所述苯羧酸选自以下 的至少一种：苯-1，3-二羧酸，苯-1，2-二羧酸，苯-1，4-二羧酸，苯-1，2，4-三羧 酸，苯-1，3，5-三羧酸，苯-1，2，3-三羧酸，苯-1，2，3，4-四羧酸，苯-1，2，4，5-四羧 酸，苯-1，2，3，5-四羧酸和苯-1，2，3，4，5-五羧酸。

8.一种可用来对包括铜互连的半导体基片进行化学机械抛光的水性 浆液，所述浆液包含0.1-10重量％的氧化剂，0.25-35重量％的二氧化硅磨 粒，0.02-2.5重量％的苯羧酸，0.0001-1重量％的多组分表面活性剂，0.005-2 重量％的用来减少铜互连的静态蚀刻的苯并三唑抑制剂，0.001-2重量％的 用来加快铜互连去除速率的含磷化合物，0.01-5重量％的在抛光过程中形成 的有机酸络合剂，以及余量的水，所述多组分表面活性剂包含疏水性尾部、 非离子型亲水性部分和阴离子型亲水性部分，所述疏水性尾部包含12-16 个碳原子，所述非离子型亲水性部分包含25-150个碳原子；所述水性浆液 的pH值为7-11.5。

9.如权利要求8所述的水性浆液，其特征在于，所述苯羧酸选自以 下的至少一种：苯-1，3-二羧酸，苯-1，2-二羧酸，苯-1，4-二羧酸，苯-1，2，4-三羧 酸，苯-1，3，5-三羧酸，苯-1，2，3-三羧酸，苯-1，2，3，4-四羧酸，苯-1，2，4，5-四羧 酸，苯-1，2，3，5-四羧酸和苯-1，2，3，4，5-五羧酸。

10.如权利要求8所述的水性浆液，其特征在于，所述苯羧酸是苯 -1，2，4-三羧酸。