[发明专利]具有ID标记的半导体晶片,及从中生产半导体器件的方法和设备无效

专利信息
申请号: 200810131142.6 申请日: 2002-03-21
公开(公告)号: CN101335195A 公开(公告)日: 2008-12-31
发明(设计)人: 有门経敏;岩濑政雄;灘原壮一;有働祐宗;牛久幸広;新田伸一;宫下守也;菅元淳二;山田浩玲;永野元;丹沢勝二郎;松下宏;土屋憲彦;奥村胜弥 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/302;H01L21/306;H01L21/268;H01L21/66;H01L23/544
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦晨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 具有 id 标记 半导体 晶片 从中 生产 半导体器件 方法 设备
【权利要求书】:

1.生产半导体器件的方法,包括:

沿着半导体晶片的周边形成倾斜轮廓;

在所述晶片上形成产品;

在所述倾斜轮廓上形成第一ID标记,所述第一ID标记包含数据,该数据包含所述产品的属性、生产条件和检测结果;

读取所述第一ID标记;以及

根据从所述第一ID标记读取的数据,在所述晶片上形成其它产品。

2.根据权利要求1的方法,其中:

在所述第一ID标记附近的所述倾斜轮廓上形成第二ID标记,所述第二ID标记包含数据,该数据包含形成所述第一ID标记后,在所述晶片上形成的产品的属性、生产条件和检测结果。

3.根据权利要求1的方法,其中在所述倾斜轮廓上形成第一ID标记包括:

向所述倾斜轮廓的一部分发射一激光束,使所述部分平整,所述倾斜轮廓的粗糙度大于所述产品形成其上的所述晶片的区域的粗糙度;以及

形成点,这些点在所述倾斜轮廓的平整部分组成所述第一ID标记。

4.根据权利要求3的方法,其中读取所述第一ID标记包括:

将光发射到所述倾斜轮廓上,并且监视所述倾斜轮廓的反射光的强度;

检测反射光强度显示最大值的位置,确定所述位置作为所述点形成的部分。

5.根据权利要求1的方法,其中:

沿着半导体晶片的周边形成倾斜轮廓包括在所述产品形成在其上的所述晶片上的第一主平面侧形成第一倾斜轮廓,并且在与所述第一主平面相对的所述晶片的第二主平面侧形成第二倾斜轮廓;

在所述倾斜轮廓上形成第一ID标记包括通过器件标记器在所述第一倾斜轮廓上形成一ID标记,并且通过晶片标记器在所述第二倾斜轮廓上形成一ID标记;以及

由器件标记器做出的所述ID标记被预先存储在所述器件标记器的主计算机中。

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