[发明专利]氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片无效
| 申请号： | 200810131104.0 | 申请日： | 2008-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101353819A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 藤田俊介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B29/40;C30B25/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体生长 方法 晶体 衬底 外延 晶片 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓晶体生长方法，其中，采用载气、氮化镓前驱物和含作为掺杂剂的硅的气体，通过氢化物气相外延在下衬底上生长氮化镓晶体，该方法的特征在于，在所述氮化镓晶体生长期间所述载气的露点为-60℃或以下。
2.如权利要求1所述的氮化镓晶体生长方法，其中，在所述氮化镓晶体生长期间，所述载气的分压强在0.56atm和0.92atm之间。
3.一种通过如权利要求1所述的氮化镓晶体生长方法所获得的氮化镓晶体衬底，包括：
下衬底；以及
在所述下衬底上形成的氮化镓晶体。
4.一种外延晶片制造方法，包括：
通过如权利要求1所述的氮化镓晶体生长方法在下衬底上生长氮化镓晶体的步骤；
移除至少所述下衬底以形成由氮化镓晶体组成的衬底的步骤；
在所述衬底上形成外延生长层的步骤；以及
对其上形成外延生长层的所述衬底的表面的相对侧的衬底表面进行处理，用于减小厚度的步骤。
5.一种通过如权利要求4所述的外延晶片制造方法制造的外延晶片，包括：
衬底；以及
在所述衬底上形成的外延生长层。
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