[发明专利]可自我检测使用状态的储存装置及其检测方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种使用状态的检测方法，且特别是有关于一种储存装置的 使用状态检测方法。

背景技术

非易失性存储器在不提供电能的状态下，依然可以长时间的储存存储数据， 因此随着科技产品的普及化，许多种类的非易失性存储器已经被应用在各式各样的 产品上，例如只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、电擦除写入只读存储 器(EEPROM)以及闪存(Flash Memory)。此外，磁阻式随机存取存储器(MRAM)、相变 化存储器(PRAM)、强介电存储器(FeRAM)等非易失性存储器也已经小量商品化。目 前闪存因为有防震、低耗电、体积小、重量轻，存取速度快等吸引人的特性，所以 常应用于计算机设备，例如网络盒、屏幕、存储卡的写入系统以及计算机的输入/ 输出系统。

非易失性存储器中，如闪存其储存区域包含许多区块，用来储存存储数据。 而这些存储器区块，可以利用阵列的方式排列，因此又可以称为存储器区块阵列， 且每一存储器区块都具有一定容量的储存空间。而由于存储器在操作过程中，会利 用电性来达成写入、读取与抹除的机制，因此存储器在操作一段时间后，会有一些 位发生错误，而这些发生错误的位可以被称为错误位。在传统的技术中，当发现存 储器区块中出现错误位时，可以利用位校正的方式来校正错误位，并且将校正过后 的错误位标示为错误校正位或是错误校正码(Error Correct Code，简称ECC)。

传统的存储器区块管理方法便是根据存储器区块中错误校正码的数目来判 断。例如闪存便是将其存储器区块的地址分为正常区域与失能区域。当判断一存储 器区块的错误位校正元的数目低于一默认值(N-Bit ECC；N大于等于1)时，可以 将此存储器区块的地址放置(如归类)在正常区块区域中。藉此，闪存就可以对正常 区块区域中记载的存储器区块地址所对应的存储器块正常地进行数据的写入与读 取。相对地，当判断一存储器区块中的错误校正位的数目高于默认值，代表此存储 器区块在储存数据时发生错误的机率会很高。因此，便将此存储器区块的地址放置 在失能区块区域，使得下次在储存数据时，不会再储存到位在失能区块区域中记载 的存储器区块地址所对应的存储器区块。当失能区块区域没有可用的空间时，则闪 存将会被锁住，而无法正常写入新的数据。

一般而论，在一闪存储存装置中，有愈多的存储器区块的地址出现错误校正 位，代表此闪存储存装置的使用状态愈低。然而，一般使用者是无法获得储存装置 的使用状态信息。

发明内容

因此，本发明提供一种储存装置的使用状态检测方法，可以让使用者了解其 储存装置的使用状态。

另外，本发明提供一种具有自我使用状态检测功能的储存装置，具有多个储 存区域(即地址表；block table)。

本发明提供一种储存装置的使用状态检测方法，包括在储存装置中提供多个 存储器区块。另外，本发明也可以在储存装置中提供多个储存区域。其中，每一储 存区域可以储存具有相同校正位数的存储器区块的地址。此外，本发明也可以对每 一储存区域设定对应的权值，并且依据每一存储器区块的地址所在之储存区域的位 置，而计算储存装置的使用状态。

在本发明的一实施例中，计算使用状态步骤可以包括将储存装置中存储器区 块的地址的总数乘以最高的权值，而获得一理想值。另外，将每一储存区域内所放 置之存储器区块的地址的数目，乘以各储存区域所对应的权值，而获得多个第一子 运算值，并且加总所有的子运算值而获得一实际值。藉此，将实际值除以理想值就 可以获得使用状态。

在本发明的一实施例中，也可以在储存装置于出厂时，针对每个存储器区块 的原始设定值，与其存储器区块地址所在的储存区域相对应的权值而获得一初始 值。另外，将每一储存区域内所放置的存储器区块的地址的数目，乘以各储存区域 所对应的权值，而获得多个第一子运算值，并且加总所有的子运算值而获得一实际 值。藉此，将实际值除以初始值而获得使用状态。

另外，本发明也可以检测每一存储器区块的地址被进行抹除或写入的次数， 而获得多个抹写值。