[发明专利]半导体设备和温度传感器电路校准方法

权利要求书

1.一种半导体设备，该半导体设备包括：

温度传感器电路，所述温度传感器电路包括：

第一监控电压产生电路，所述第一监控电压产生电路产生第一监控电压，该电压具有随温度改变的特性；

第二监控电压产生电路，所述第二监控电压产生电路产生第二监控电压，该电压具有以与所述第一监控电压不同的变化量而随温度改变的特性；以及

差分放大电路，将所述第一和第二监控电压输入所述差分放大电路，并且所述差分放大电路输出所述两电压的比较结果，

其中，所述差分放大电路能够切换到第一连接状态，以输出所述比较结果以用于控制存储器的刷新周期，并且能够切换到第二连接状态，以输出通过将所述差分放大电路的偏移电压添加到所述第一和第二监控电压中的一个电压或者从所述第一和第二监控电压中的一个电压减去所述偏移电压而得到的偏移监控电压。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述第二连接状态是一种如下的状态，即在该状态中禁止将所述第一监控电压和所述第二监控电压中相应的一个电压输入到所述差分放大电路的一个输入端，并且提供从所述差分放大电路的输出到所述一个输入端的负反馈电路。

3.根据权利要求2所述的半导体设备，其中，所述负反馈电路包括：输出晶体管，所述差分放大电路的输出连接到该输出晶体管的栅极；以及反馈导线，该反馈导线将所述输出晶体管的漏极连接到所述差分放大电路的所述一个输入端。

4.根据权利要求1所述的半导体设备，还包括：输出缓冲电路，将所述偏移监控电压或者所述第一或第二监控电压输入所述输出缓冲电路，并且所述输出缓冲电路将如此输入的电压放大以输出。

5.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述第二连接状态包括：输出第一偏移监控电压的状态，所述第一偏移监控电压是通过将所述偏移电压添加到所述第一和第二监控电压中的一个电压而得到的；输出第二偏移监控电压的状态，所述第二偏移监控电压是通过从所述第一和第二监控电压中的一个电压减去所述偏移电压而得到的；以及输出第三偏移监控电压的状态，所述第三偏移监控电压是通过将所述偏移电压添加到所述第一和第二监控电压中的另一个电压或者从所述第一和第二监控电压中的所述另一个电压减去所述偏移电压而得到的。

6.根据权利要求5所述的半导体设备，其中，所述第二连接状态是一种如下的状态，即在该状态中禁止将所述第一监控电压和所述第二监控电压中相应的一个电压输入到所述差分放大电路的一个输入端，并且提供包括了输出晶体管和反馈导线的负反馈电路，以将所述差分放大电路的输出连接到所述一个输入端。

7.根据权利要求6所述的半导体设备，还包括：第一开关和第二开关，所述第一开关和第二开关将所述第一和第二监控电压中的每个电压连接到所述差分放大电路的非倒相输入端或倒相输入端；第五开关，所述第五开关将所述差分放大电路的输出端连接到所述比较结果的输出端或者输出晶体管；及第六开关，所述第六开关将所述输出晶体管的漏极连接到所述差分放大电路的非倒相输入端或倒相输入端。

8.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述存储器包括DRAM存储单元阵列。