[发明专利]存储器驱动方法和半导体存储装置

权利要求书

1.一种驱动存储器的方法，所述存储器包括存储器单元、位线和字线， 每个存储器单元具有源极、漏极和处于电浮动状态的浮体，所述存储器单 元根据在所述浮体中的载流子的数量存储逻辑数据，所述位线连接到所述 漏极，所述字线与所述位线交叉，

所述方法包括以下步骤：

执行刷新操作，以恢复所述存储器单元的第一逻辑数据的劣化和所述 存储器单元的第二逻辑数据的劣化，存储所述第二逻辑数据的存储器单元 的所述浮体中积累的载流子的数量小于存储所述第一逻辑数据的存储器单 元的所述浮体中积累的载流子的数量，其中

在所述刷新操作中，当所述浮体处的电位大于临界值时，注入到所述 浮体中的载流子的数量大于从所述浮体中流出的载流子的数量，并且当所 述浮体处的电位小于所述临界值时，注入到所述浮体中的载流子的数量小 于从所述浮体中流出的载流子的数量。

2.根据权利要求1的驱动存储器的方法，其中通过碰撞电离产生注入 到所述浮体中的载流子，并且

通过在所述浮体与所述存储器单元的所述源极之间的pn结部分或者 在所述浮体与所述存储器单元的所述漏极之间的pn结部分中的正向偏置 的电流，使得所述载流子从所述浮体中流出。

3.根据权利要求1的驱动存储器的方法，其中通过碰撞电离产生注入 到所述浮体中的载流子，并且

通过流经所述存储器单元的栅电介质膜的直接隧穿电流，使得所述载 流子从所述浮体中流出。

4.根据权利要求2的驱动存储器的方法，其中通过碰撞电离产生注入 到所述浮体中的载流子，并且同时通过在所述浮体与所述存储器单元的所 述源极之间的pn结部分或者在所述浮体与所述存储器单元的所述漏极之 间的pn结部分中的正向偏置的电流，使得所述载流子从所述浮体中流出。

5.根据权利要求3的驱动存储器的方法，其中通过所述碰撞电离产生 的碰撞电离电流与所述直接隧穿电流交替产生。

6.根据权利要求1的驱动存储器的方法，还包括读出放大器，所述读 出放大器连接到所述位线，以从所述存储器单元读取数据或者在所述存储 器单元中写入数据，

其中所述位线连接到多个存储器单元的漏极，多条字线设置为与连接 到所述位线中的一条的所述多个存储器单元对应，并且

对连接到所述位线中的所述一条的所述多个存储器单元同时执行所述 刷新操作。

7.根据权利要求6的驱动存储器的方法，其中所述读出放大器在所述 刷新操作中不执行所述存储器单元的数据读取操作。

8.一种驱动存储器的方法，所述存储器包括存储器单元、位线和字线， 每个存储器单元具有源极、漏极和处于电浮动状态的浮体，所述存储器单 元根据在所述浮体中的载流子的数量存储逻辑数据，所述位线连接到所述 漏极，所述字线与所述位线交叉，

所述方法包括以下步骤：

执行刷新操作，以恢复所述存储器单元的第一逻辑数据的劣化和所述 存储器单元的第二逻辑数据的劣化，存储所述第二逻辑数据的存储器单元 的所述浮体中积累的载流子的数量小于存储所述第一逻辑数据的存储器单 元的所述浮体中积累的载流子的数量，其中

在所述刷新操作期间对存储所述第一逻辑数据的存储器单元和存储所 述第二逻辑数据的存储器单元施加所述字线处的公共字线电位VWL和所 述位线处的公共位线电位VBL，所述电位VWL和所述电位VBL满足式1 至式4的式组或者式5至式8的式组，

其中VSL是所述源极处的电位，Vth1是其中存储所述第一逻辑数据的存 储器单元的阈值电压，Vth0是其中存储所述第二逻辑数据的存储器单元的 阈值电压，以及VWLL是在数据保持期间所述字线处的电位。