[发明专利]自支撑(Al,Ga,In)N以及形成自支撑(Al,Ga,In)N的分离方法

权利要求书

1.一种形成自支撑(Al，Ga，In)N制品的方法，包括如下步骤：

在外延相容的牺牲模板上沉积单晶(Al，Ga，In)N材料，以形成包括 牺牲模板和(Al，Ga，In)N材料之间界面的牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制 品；和

对牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品进行界面改性以便将牺牲模板 与(Al，Ga，In)N材料分离，并得到自支撑(Al，Ga，In)N制品；

其中对牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品进行界面改性的步骤包括 用激光能量冲击界面，所述激光能量按照预定的扫描图案进行冲击， 包括激光束和/或牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品的平移运动，其中所 述平移运动包括沿同心圆向内做圆周运动。

2.根据权利要求1的方法，其中所述激光能量透过(Al，Ga，In)N 传播到界面上。

3.根据权利要求1的方法，其中所述激光能量具有的功率密度足 以引发界面材料的化学和/或物理变化，从而弱化相应模板和(Al，Ga， In)N材料的界面结合。

4.根据权利要求1的方法，其中(Al，Ga，In)N材料包括c面GaN， 牺牲模板包括c面兰宝石。

5.根据权利要求1的方法，包括用激光能量冲击界面，并监视激 光能量的反射率，用于控制该方法。

6.根据权利要求1的方法，其中在压力从10^-6到10¹⁰托范围的处理环 境中实施界面改性。