[发明专利]光刻设备和污染物去除或防止方法无效
| 申请号: | 200810130025.8 | 申请日: | 2008-07-24 |
| 公开(公告)号: | CN101354538A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
| 发明(设计)人: | A·M·C·P·德琼;H·詹森;M·H·A·里恩德尔斯;A·J·范德奈特;P·F·沃恩腾;J·C·J·范德东克;R·D·沃森;T·C·范登都尔;N·什库;J·W·克龙姆威杰克 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;B08B3/04 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王波波 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光刻 设备 污染物 去除 防止 方法 | ||
1.一种浸没式光刻设备,包括:
投影系统,所述投影系统用于将投影辐射束投影到衬底上;
衬底台,所述衬底台用于支撑衬底;
浸没系统,所述浸没系统配置用于至少部分地以浸没液填充浸没空 隙;
液体供给系统,所述液体供给系统配置用于将清洁液体提供到所述浸 没空隙;
清洁液体,所述清洁液体包含在所述浸没空隙中和/或在所述液体供 给系统中;以及
反射器,所述反射器位于所述衬底台的面对所述投影系统的表面上, 用于将通过所述投影系统投影的用于清洁的辐射束反射到所述液体供给 系统的下侧;
其中,所述清洁液体主要由超纯净水以及(a)过氧化氢和臭氧的混 合物、或(b)浓度高达10%的过氧化氢、或(c)浓度高达50ppm的臭氧、 或(d)浓度高达10ppm的氧气、或(e)选自(a)-(d)的任何组合物构 成。
2.根据权利要求1所述的设备,其中清洁液体主要由包含臭氧和过氧 化氢的超纯净水构成,所述臭氧的浓度选自0.1ppm到20ppm的范围内,过 氧化氢的浓度选自0.1ppm到10ppm的范围内。
3.根据权利要求1所述的设备,其中清洁液体主要由包含臭氧和过氧 化氢的超纯净水构成,所述臭氧的浓度为大约10ppm,过氧化氢的浓度为 大约2ppm。
4.根据权利要求1所述的设备,其中清洁液体主要由包含过氧化氢的 超纯净水构成,所述过氧化氢的浓度选自0.1%到5%的范围内。
5.根据权利要求1所述的设备,其中清洁液体主要由包含臭氧的超纯 净水构成,所述臭氧的浓度为大约10ppm或更小。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的设备,还包括紫外辐射源,所 述紫外辐射源配置用于在清洁液体位于浸没空隙内或清洁液体供给系统 内时,将紫外辐射束投影到所述清洁液体上。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的设备,其中所述浸没空隙包括 第一入口系统和第二入口系统,所述第一入口系统连接到浸没液源,以将 浸没液提供到所述浸没空隙,所述第二入口系统连接到清洁液体供给系 统,以将清洁液体提供到所述浸没空隙。
8.一种用于防止或减少浸没式光刻设备中的污染物的方法,所述设 备包括:浸没系统,所述浸没系统配置用于至少部分地用浸没液填充浸没 空隙;投影系统,所述投影系统用于将投影辐射束投影到衬底上;衬底台, 所述衬底台用于支撑衬底;以及液体供给系统,所述液体供给系统配置用 于将清洁液体提供到所述浸没空隙,所述方法包括将清洁液体供给到所述 浸没空隙以及使用位于所述衬底台的面对所述投影系统的表面上的反射 器,将通过所述投影系统投影的用于清洁的辐射束反射到所述液体供给系 统的下侧,其中所述清洁液体主要由超纯净水以及(a)过氧化氢和臭氧 的混合物、或(b)浓度高达5%的过氧化氢、或(c)浓度高达50ppm的臭 氧、或(d)浓度高达10ppm的氧气、或(e)选自(a)-(d)的任何组合 物构成。
9.根据权利要求8所述的方法,还包括步骤:以紫外辐射对所述清洁 液体进行辐射。
10.根据权利要求8所述的方法,其中用所述清洁液体冲洗所述浸没 空隙。
11.根据权利要求10所述的方法,其中随后用超纯净水冲洗所述浸没 空隙。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的方法,其中所述衬底台被部 分地暴露给所述浸没空隙,且其中所述方法还包括步骤:移动所述衬底台, 以使得所述衬底台的不同部分被暴露给包含在所述浸没空隙内的所述清 洁液体。
13.一种器件制造方法,使用权利要求8-11中任一项所述的方法,还 包括至少部分地用浸没液填充所述浸没空隙,并将图案化的辐射束投射通 过所述浸没液到衬底上,其中能够在将所述图案化的辐射束投影之前和/ 或之后进行清洁液体供给。
14.根据权利要求13所述的器件制造方法,其中所述浸没液被经由 第一入口系统供给到所述浸没空隙,且清洁液体经由第二入口系统被供给 到浸没空隙。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810130025.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:等离子体显示面板的制造方法和等离子体显示面板
- 下一篇:焊炬位置控制装置





