[发明专利]接地电位交越检测与电源电位交越检测的检测电路

权利要求书

1.一种检测电路，用以检测交越一指定电压的输入信号，其特征在于，所述的检测电路包含：

一第一PMOS晶体管、一第二PMOS晶体管、一第一NMOS晶体管以及一第二NMOS晶体管，其中所述的第一PMOS晶体管以及所述的第二PMOS晶体管皆具有一栅极，所述的二栅极皆与所述的第二PMOS晶体管以及所述的第二NMOS晶体管的漏极相连接，且所述的第一NMOS晶体管以及所述的第二NMOS晶体管亦皆具有一栅极，所述的二栅极皆连接于一BIAS电压，所述的第二NMOS晶体管的源极接地，而所述的第二PMOS晶体管的源极连接于一电源电位，所述的第一PMOS晶体管以及所述的第一NMOS晶体管的漏极连接于一输出端；以及

当所述的指定电压为接地电位时，所述的第一NMOS晶体管的源极连接于所述的输入信号，且所述的第一PMOS晶体管的源极连接于所述的电源电位；

当所述的指定电压为电源电位时，所述的第一NMOS晶体管的源极接地，且第一PMOS晶体管的源极连接于所述的输入信号。

2.如权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述的指定电压相对于所述的接地电位可作微调，根据所述的第二NMOS晶体管与第一NMOS晶体管大小的比例而决定。

3.如权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述的指定电压相对于所述的电源电位可作微调，根据所述的第二PMOS晶体管与第一PMOS晶体管大小的比例而决定。

4.一种检测交越接地电位电路，用以检测输入信号交越接地电位，其特征在与，所述的检测交越接地电位电路包含：

一第一PMOS晶体管，具有一源极，所述的源极连接一电源电位；

一第二PMOS晶体管，具有一源极以及一栅极，所述的源极连接所述的电源电位，所述的栅极连接其漏极以及所述的第一PMOS晶体管的栅极；

一第一NMOS晶体管，具有一漏极以及一源极，所述的漏极连接所述的第一PMOS晶体管的漏极，所述的源极提供一输入信号；以及

一第二NMOS晶体管，具有一接地源极、一漏极，以及一栅极，所述的漏极与所述的第二PMOS晶体管的漏极相连接，所述的栅极与第一NMOS晶体管的栅极以及一BIAS电压相连接。

5.如权利要求4所述的检测交越接地电位电路，其特征在于，所述的接地电位可微调，根据所述的第二NMOS晶体管与第一NMOS晶体管大小的比例而决定。

6.一种检测电源电位交越电路，用以检测输入信号交越电源电位，其特征在于，所述的检测电源电位交越电路包含：

一第一PMOS晶体管，具有一源极，所述的源极连接一电源电位；

一第二PMOS晶体管，具有一源极以及一栅极，所述的源极连接所述的电源电位，所述的栅极连接其漏极以及所述的第一PMOS晶体管的栅极；

一第一NMOS晶体管，具有一漏极以及一源极，所述的漏极连接所述的第一PMOS晶体管的漏极，所述的源极接地；以及

一第二NMOS晶体管，具有一接地源极、一漏极，以及一栅极，所述的源极提供一输入信号，所述的漏极与所述的第二PMOS晶体管的漏极相连接，所述的栅极与第一NMOS晶体管的栅极以及一BIAS电压相连接。

7.如权利要求6所述的检测电源电位交越电路，其特征在于所述的电源电位可微调，根据所述的第二PMOS晶体管与第一PMOS晶体管大小的比例而决定。