[发明专利]显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置，尤其涉及具有由多晶硅构成的薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)的显示装置。

背景技术

以往，作为液晶显示装置之一被公知的有：在每一像素中具有有源元件并使该有源元件进行开关工作的有源矩阵型液晶显示装置。

作为该有源矩阵型液晶显示装置之一被公知的有：使用由多晶硅来构成半导体层的薄膜晶体管(以下称为多晶硅薄膜晶体管)作为有源元件的TFT方式的有源矩阵型液晶显示装置。

在使用多晶硅薄膜晶体管作为有源元件的液晶显示组件(以下称为Poly-SiTr-TFT液晶显示组件)的液晶显示板中，在石英或玻璃基板上将多晶硅薄膜晶体管配置形成为矩阵状。由于多晶硅薄膜晶体管的工作速度高于半导体层由非晶硅构成的薄膜晶体管的工作速度，因此，在Poly-SiTr-TFT液晶显示组件的液晶显示板中，其外围电路也可以在同一基板上制作。

发明内容

上述多晶硅薄膜晶体管通过低温多晶硅技术等而形成在玻璃基板上。

但是，在散热性较低的玻璃基板上形成的多晶硅薄膜晶体管中存在如下问题，即，在利用10V以上的高栅极电压、10V以上的高漏极电压进行导通工作时，由于500μA级以上的漏电流而成为至少100℃以上的高温，因该自发热引起的特性变动将有损产品的可靠性。

本发明是为解决上述现有技术的问题而做出的，本发明的目的在于提供如下这样的技术：在显示装置中，可以防止由于形成在散热性低的基板上的、半导体层由多晶硅构成的薄膜晶体管的自发热引起的特性变动。

本发明的上述及其他目的和新特征将通过本说明书的记载和附图而得以明确。

简要说明本申请公开的发明中的代表性技术方案如下。

一种显示装置，包括具有多个子像素的显示板、和用于驱动上述多个子像素的驱动电路，上述驱动电路具有薄膜晶体管，上述薄膜晶体管的半导体层由多晶硅构成，其中，将薄膜晶体管形成在基板(例如散热性较低的玻璃基板)上，且用由热传导率高的金属构成的金属层(例如栅极布线层、或源极布线层、或漏极布线层)隔着绝缘膜覆盖薄膜晶体管的栅电极，上述薄膜晶体管是在通常的电路工作下就会流过500μA以上电流而自发热的薄膜晶体管。

由此，在本发明中，将薄膜晶体管导通工作时产生的热通过金属层而散热，从而能够抑制特性变动。

简要说明本申请公开的发明中代表性技术方案所得到的效果如下。

根据本发明的显示装置，可以防止由于形成在散热性低的基板上的、半导体层由多晶硅构成的薄膜晶体管的自发热而引起的特性变动。

附图说明

图1是表示本发明实施例的液晶显示组件的液晶显示板的等效电路的图。

图2是表示本发明实施例的外围电路内的、使用多晶硅作为半导体层的多晶硅薄膜晶体管的电极构造的俯视图。

图3是表示沿图2的A-A’剖切线的截面构造的剖视图。

图4是表示沿图2的A-A’剖切线的截面构造的另一例子的剖视图。

图5是表示本发明实施例的外围电路内的、使用多晶硅作为半导体层的多晶硅薄膜晶体管的另一例子的电极构造的俯视图。

图6是表示沿图5的A-A’剖切线的截面构造的剖视图。

图7是表示沿图5的A-A’剖切线的截面构造的另一例子的剖视图。

图8是表示本发明实施例的外围电路内的、使用多晶硅作为半导体层的多晶硅薄膜晶体管的另一例子的电极构造的俯视图。

图9是表示沿图8的A-A’剖切线的截面构造的剖视图。

图10是表示本发明实施例的外围电路内的、使用多晶硅作为半导体层的多晶硅薄膜晶体管的另一例子的电极构造的俯视图。

图11是表示沿图10的A-A’剖切线的截面构造的剖视图。

图12是表示本发明实施例的外围电路内的、使用多晶硅作为半导体层的多晶硅薄膜晶体管的另一例子的电极构造的俯视图。

具体实施方式

以下，参照附图详细说明本发明的实施例。

在用于说明实施例的所有附图中，对同样构件标注相同附图标记并省略其重复说明。

图1是表示本发明实施例的液晶显示组件的液晶显示板的等效电路的图。

在图1中，100表示显示部，110表示水平移位寄存器电路(也称为图像线移位寄存器)，120表示垂直移位寄存器电路(也称为扫描线移位寄存器)。

显示部100具有配置成矩阵状的子像素，各子像素配置在相邻的两条扫描线(栅极信号线或水平信号线)(G0～Gm)、与相邻的两条图像线(漏极信号线或垂直信号线)(D1～Dn)交叉的区域(4条信号线所围起来的区域)内。