[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

至少一个发光芯片；以及

磁性基台，耦合到发光芯片上以在所述发光芯片上施加磁场，其中该磁 性基台的宽度大于该发光芯片的宽度，以使所述磁场增加扩展漂移电流的 量，进而使得具有最高电流密度的主要分布从发光装置的电极之间的区域移 至光出射区域下面的区域从而提高电流均匀性。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发光芯片包括：

衬底，耦合至所述磁性基台；

发光堆叠层，设于所述衬底上；以及

多个电极，电耦合至所述发光堆叠层。

3.根据权利要求2所述的发光装置，其中所述发光堆叠层包括：

第一掺杂层；

第二掺杂层，设于所述衬底上和所述第一掺杂层下方；以及

活性层，设于所述第一掺杂层与所述第二掺杂层之间。

4.根据权利要求3所述的发光装置，其中所述电极包括：

第一电极，设于所述第一掺杂层上且电耦合至所述第一掺杂层，以及

第二电极，设于所述第二掺杂层下方且电耦合至所述第二掺杂层。

5.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述发光堆叠层还包括：

透明导电层，设于所述第一掺杂层上方。

6.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述发光堆叠层还包括：

阻断层，设于所述第一电极与所述第一掺杂层之间用于阻断所述第一电 极与所述第一掺杂层之间的电连接的一部分。

7.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述发光堆叠层还包括：

隔离层，设于所述第二掺杂层与所述磁性基台之间用于隔离所述第二电 极与所述第一电极下方的区域。

8.根据权利要求4所述的发光装置，其中还在所述第一掺杂层、所述 第二掺杂层、所述第一电极、所述第二电极、所述衬底或所述磁性基台的顶 表面或底表面上制作粗糙图案、梯形图案、圆形图案或光子晶体层。

9.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述发光堆叠层还包括：

镜面层，设于所述第二掺杂层与所述衬底之间，所述衬底与所述第二电 极之间或所述第二电极与所述磁性基台之间用于反射从活性层发射的光。

10.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述第一掺杂层和所述第二 掺杂层包括P掺杂层或N掺杂层。

11.根据权利要求3所述的发光装置，其中所述电极包括：

第一电极，设于所述第一掺杂层上且电耦合至所述第一掺杂层；以及

第二电极，设于所述第二掺杂层未被所述活性层覆盖的表面上且电耦合 至所述第二掺杂层。

12.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述发光堆叠层还包括：

透明导电层，设于所述第一掺杂层上方。

13.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述发光堆叠层还包括：

阻断层，设于所述第一电极与所述第一掺杂层之间用于阻断所述第一电 极与所述第一掺杂层之间的电连接的一部分。

14.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述发光堆叠层还包括：

隔离层，设于所述衬底下方用于隔离所述衬底与所述磁性基台。

15.根据权利要求11所述的发光装置，其中还在所述第一掺杂层、所 述第二掺杂层、所述第一电极、所述第二电极、所述衬底或所述磁性基台上 制作粗糙图案、梯形图案、圆形图案或光子晶体层。

16.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述发光堆叠层还包括：

镜面层，设于所述第二掺杂层与所述衬底之间或所述衬底与所述磁性基 台之间用于反射从所述活性层发射的光。

17.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述第一掺杂层和所述第 二掺杂层包括P掺杂层或N掺杂层。