[发明专利]表面发射激光器

权利要求书

1.一种表面发射激光器，包括在衬底上层叠的多个半导体层，所述半导体层包括下部半导体多层反射镜、活性层、以及上部半导体多层反射镜，

其中，所述下部半导体多层反射镜和所述上部半导体多层反射镜中的一个包括具有二维光子晶体结构的第一半导体层，所述二维光子晶体结构由高折射率部分和低折射率部分构成，所述高折射率部分和低折射率部分被布置在平行于所述衬底的方向，

其中，层叠在所述第一半导体层上的第二半导体层包括到达所述低折射率部分的微孔，所述微孔在平行于所述衬底的所述方向的截面小于在所述第一半导体层中形成的所述低折射率部分的截面，

其中，所述第一半导体层包括AlGaAs层和AlAs层中的一个，并且，包括AlGaAs层和AlAs层中的一个的所述第一半导体层的Al成分比例高于所述第二半导体层的Al成分比例，并高于在所述第一半导体层下形成的半导体层的Al成分比例。

2.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述微孔是从包括所述低折射率部分的所述第一半导体层的上表面到位于到达所述第二半导体层的上表面的中途上的层形成的。

3.根据权利要求2所述的表面发射激光器，其中，所述微孔被形成到位于到达所述第二半导体层的上表面的中途上的层的结构是如下构造的：在所述第二半导体层上通过晶体再生长而形成第三半导体层。

4.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述低折射率部分包括氧化区域，该氧化区域利用通过所述微孔提供的氧化物种、通过对包括AlGaAs层和AlAs层中的一个的所述第一半导体层的一部分区域的氧化来形成。

5.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述低折射率部分包括在所述第一半导体层的一部分区域中形成的空隙。

6.根据权利要求5所述的表面发射激光器，其中，所述空隙用其折射率比所述第一半导体层的折射率低的材料填充。

7.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述微孔用其折射率比所述第一半导体层的折射率低的材料填充。