[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号: | 200810129321.6 | 申请日: | 2008-06-26 | 
| 公开(公告)号: | CN101335285A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 | 
| 发明(设计)人: | 黄善才 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82 | 
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军 | 
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器,包括:
层间介电质和金属线,位于衬底的像素区域上;以及
微透镜,在所述层间介电质和所述金属线的上方,其中所述微透镜与所述像素区域的有源区域对准。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:光电二极管,位于所述像素区域的所述有源区域处,其中所述微透镜直接设置于所述光电二极管的上方。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述微透镜不设置于所述金属线的正上方。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:顶部金属,位于所述微透镜以下,其中所述微透镜不设置于顶部金属的正上方。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:有源区域对准标记和微透镜对准标记,其中所述微透镜对准标记和所述有源区域对准标记的对准将所述微透镜与所述像素区域的所述有源区域对准。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:光电二极管对准标记和微透镜对准标记,其中所述微透镜对准标记和所述光电二极管对准标记的对准将所述微透镜与所述像素区域的所述有源区域对准。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述微透镜不与所述金属线对准。
8.一种用于制造图像传感器的方法,包括:
提供具有像素区域的衬底,所述像素区域包括形成在所述像素区域的有源区域;
在所述衬底的所述像素区域上形成层间介电质和金属线;以及
通过将微透镜与所述像素区域的所述有源区域对准,在所述层间介电质和所述金属线上方形成所述微透镜。
9.根据权利要求8所述的方法,其中形成所述微透镜包括将所述微透镜的对准标记与所述像素区域的所述有源区域的对准标记对准。
10.根据权利要求8所述的方法,还包括在所述有源区域形成光电二极管,其中形成所述微透镜包括将所述微透镜的对准标记与所述光电二极管的对准标记对准。
11.根据权利要求8所述的方法,其中在形成所述微透镜的过程中,所述微透镜的对准标记不与所述金属线的对准标记对准。
12.根据权利要求8所述的方法,还包括在形成所述微透镜之前,在所述衬底上形成顶部金属。
13.根据权利要求12所述的方法,其中在形成所述微透镜的过程中,所述微透镜的对准标记不与所述顶部金属的对准标记对准。
14.根据权利要求9所述的方法,通过在所述有源区域的所述对准标记上直接对准所述微透镜的所述对准标记,使图像故障最小化。
15.根据权利要求10所述的方法,通过在所述光电二极管的所述对准标记上直接对准所述微透镜的所述对准标记,使图像故障最小化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





