[发明专利]磁传感器及补偿磁传感器的温度相关特性的方法无效
| 申请号: | 200810129029.4 | 申请日: | 2002-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN101308200A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
| 发明(设计)人: | 佐藤秀树 | 申请(专利权)人: | 雅马哈株式会社 |
| 主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 葛青 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 传感器 补偿 温度 相关 特性 方法 | ||
1.一种磁传感器,其包括单个衬底和多个元件组,每一个元件组都包 括被钉扎层磁化方向相同的一对磁阻元件,所述两元件组的至少两组就所述 被钉扎层的磁化方向而言彼此垂直,其中
所述多个元件组的每组以这样一种方式设置于所述衬底上,即,使得每 一元件组的所述被钉扎层的磁化方向基本上都平行于距所述衬底的形心的 距离增大的方向,并且使得所述磁阻元件对彼此邻近设置。
2.一种磁传感器,其包括单个衬底和多个元件组,每个元件组包括被 钉扎层的磁化方向相同的一对磁阻元件,当未施加外部磁场时所述两元件组 的至少两组就所述磁阻元件的自由层的磁化方向而言彼此垂直,其中
所述多个元件组的每组都是以这样一种方式设置于所述衬底上,即,当 未施加所述外部磁场时,每个元件组的所述自由层的磁化方向基本垂直于离 开所述衬底的形心的距离沿其增大的方向,并且所述磁阻元件对彼此邻近设 置。
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