[发明专利]化学放大型正性抗蚀剂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种化学放大型正性抗蚀剂组合物。

背景技术

化学放大型正性抗蚀剂组合物用于采用光刻法(lithography process)的半导体微型制造，所述光刻法使用i-射线，KrF，ArF和电子束；在半导体器件的制备中形成隆起或者厚膜抗蚀剂图案；在电路板的制备中形成配线图案或者厚膜抗蚀剂层压体；等。

预期化学放大型抗蚀剂组合物产生具有高分辨率和良好图案外形的图案。

US 2005/0042540 A1公开了一种化学放大型正性抗蚀剂组合物，其包含树脂和酸生成剂，所述树脂包含衍生自羟基苯乙烯的聚合单元和衍生自(甲基)丙烯酸酯的聚合单元。

发明内容

本发明涉及以下：

<1>一种化学放大型正性抗蚀剂组合物，其包含：

(A)由式(I)表示的盐：

A^+-O₃S-R    (I)

其中R表示9，10-蒽醌基，所述9，10-蒽醌基可以被选自下列基团中的至少一个基团取代：C1-C4烷基，C1-C4烷氧基和羟基，并且所述的C1-C4烷基和所述的C1-C4烷氧基可以是取代的，并且A⁺表示有机抗衡阳离子，和

(B)树脂，所述树脂包含具有酸-不稳定基团的结构单元，并且所述树脂本身不溶于或难溶于碱性水溶液，但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液；

<2>根据<1>所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物，其中R表示未取代的9，10-蒽醌基；

<3>根据<1>或<2>所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物，其中所述树脂中的具有酸-不稳定基团的结构单元基于所述树脂中的全部结构单元之和的含量为5至80摩尔％；

<4>根据<1>至<3>中任何一项所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物，其中所述具有酸-不稳定基团的结构单元是衍生自丙烯酸-2-烷基-2-金刚烷基酯、甲基丙烯酸-2-烷基-2-金刚烷基酯、丙烯酸-1-(1-金刚烷基)-1-烷基烷基酯或甲基丙烯酸-1-(1-金刚烷基)-1-烷基烷基酯的结构单元；

<5>根据<1>至<4>中任何一项所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物，其中所述树脂还包含选自衍生自羟基苯乙烯的结构单元和衍生自酰氧基苯乙烯的结构单元中的至少一种结构单元；

<6>根据<1>至<5>中任何一项所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物，其中所述化学放大型正性抗蚀剂组合物还包含作为酸生成剂的鎓盐；

<7>根据<1>至<6>中任何一项所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物，其中所述化学放大型正性抗蚀剂组合物还包含作为酸生成剂的含有磺酰基的重氮甲烷化合物；

<8>根据<1>至<7>中任何一项所述的化学放大型正性抗蚀剂组合物，其中所述化学放大型正性抗蚀剂组合物还包含碱性化合物。

具体实施方式

本发明的化学放大型正性抗蚀剂组合物包含：

(A)由式(I)表示的盐：

A^+-O₃S-R    (I)

其中R表示9，10-蒽醌基，所述9，10-蒽醌基可以被选自下列基团中的至少一个基团取代：C1-C4烷基，C1-C4烷氧基和羟基，并且所述的C1-C4烷基和所述的C1-C4烷氧基可以是取代的，并且A⁺表示有机抗衡阳离子，和

(B)树脂，所述树脂包含具有酸-不稳定基团的结构单元，并且所述树脂本身不溶于或难溶于碱性水溶液，但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液。

在式(I)中，R表示可以被选自C1-C4烷基，C1-C4烷氧基和羟基中的至少一个基团取代的9，10-蒽醌基。

C1-C4烷基的实例包括甲基，乙基，正丙基，异丙基，正丁基，异丁基，仲丁基和叔丁基。C1-C4烷氧基的实例包括甲氧基，乙氧基，正丙氧基，异丙氧基，正丁氧基，异丁氧基，仲丁氧基和叔丁氧基。尽管C1-C4烷基和C1-C4烷氧基可以是取代的，但是优选未取代的C1-C4烷基和未取代的C1-C4烷氧基。R优选表示未取代的9，10-蒽醌基。

由式(I)表示的盐的阴离子部分的实例包括下列。