[发明专利]制造金属－绝缘体－金属电容器的方法

权利要求书

1.一种制造金属-绝缘体-金属电容器的方法，包括：

在晶片上按顺序形成底电极、绝缘膜和顶电极；

在所述顶电极上形成用于部分蚀刻所述顶电极和绝缘膜的第一图案；

利用形成的第一图案蚀刻所述顶电极和绝缘膜，然后剥掉所述第一图案；

将所述晶片在材料的熔解温度上或者在高于所述熔解温度的温度上进行加热，然后对所述晶片进行淬火，其中，所述材料用于形成所述顶电极或所述底电极；

在剩余的所述顶电极和绝缘膜上形成用于部分蚀刻所述底电极的金属图案；以及

用该形成的金属图案蚀刻所述底电极，然后剥掉该金属图案；

其中，所述晶片的加热温度等于或高于用于形成所述底电极的合金的熔解温度。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在剥掉所述第一图案之后淋洗所述晶片的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述加热和所述淬火进行200秒。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述晶片的加热温度是根据在进行蚀刻和剥离的室中给定的延迟时间来控制。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述底电极由Al制成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述底电极由AlCu制成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述顶电极由Ti制成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述顶电极由TiN制成。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘膜由SiN制成。