[发明专利]背面照明影像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种背面照明影像传感器，其特征在于，包含：

一基板，具有一正面及一背面；

一传感器，位于该基板的该正面中，该传感器包含至少一光二极管；以及

一空乏区，位于该基板的该背面中，其中该空乏区的一深度小于一基板厚度的20％。

2.根据权利要求1所述的背面照明影像传感器，其特征在于，该基板厚度为1μm至5μm。

3.根据权利要求1所述的背面照明影像传感器，其特征在于，该基板选自由一p-型基板、一n-型基板、一晶膜层、绝缘层上覆硅、硅及上述的组合所组成的一群组。

4.根据权利要求1所述的背面照明影像传感器，其特征在于，该空乏区的该深度小于

5.根据权利要求1所述的背面照明影像传感器，其特征在于，该光二极管为一固定层光二极管或一非固定层光二极管。

6.根据权利要求1所述的背面照明影像传感器，其特征在于，该传感器为一主动像素传感器或一被动像素传感器。

7.根据权利要求1所述的背面照明影像传感器，其特征在于，还包含：

一金属互连层及层间介电质位于该基板的该正面上；

一滤色器位于该基板的该背面上且和该传感器排成一列；以及

一微镜片位于该滤色器上方。

8.一种用以制造一背面照明影像传感器的方法，其特征在于，包含：

(a)提供一基板，其具有一正面、一背面及一第一厚度；

(b)形成多个传感器于该基板的该正面中，其中该多个传感器的每一个包含至少一光二极管；

(c)将该基板厚度由该第一厚度减小至一第二厚度；以及

(d)形成一空乏区于该基板的该背面中，其中该空乏区的一深度小于该第二基板厚度的20％。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤(d)包含：

在距离该基板的该背面一第一深度处植入一第一传导型离子；

在距离该基板的该背面一第二深度处植入一第二传导型离子，其中该第二传导型和该第一传导型不同，且该第二深度小于该第一深度；以及

进行激光退火以活化该第一传导型离子及该第二传导型离子。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，植入该第一传导型离子的该步骤包含利用一p-型掺杂物，一能量为500eV至50KeV，以及一使用剂量为10e3原子/cm²至50e5原子/cm²。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，植入该第二传导型离子的该步骤包含利用一n-型掺杂物，一能量为500eV至40KeV，以及一使用剂量为10e3原子/cm²至50e5原子/cm²。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，执行激光射退火的该步骤包含利用0.5J/cm²至10J/cm²的电流密度。

13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该空乏区的该深度小于

14.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该第二基板厚度为1μm至5μm。

15.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包含：

形成一金属互连层及层间介电质于该基板的该正面上；

形成一滤色器于该基板的该背面上且与该传感器排成一列；以及

形成一微镜片于该滤色器上方。