[发明专利]非挥发性存储装置以及存取一非挥发性存储装置的方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种非挥发性存储装置以及其存取方法。更具体说，本发明是关于一种用以防止读取扰动的非挥发性存储装置及其存取方法。

背景技术

非挥发性存储器广泛应用于诸多数字产品中，例如移动电话、个人电脑、MP3播放器、个人数字助理(personal digital assistant；PDA)以及数码照相机中。然而，由于非挥发性存储器的固有特性，仍存在某些局限性。举例而言，当储存于一闪存中的数据是静态时，即不被抹除或移动时，该闪存中的同一区块可能会被重复读取。因区块主要是由多个晶体管构成，故一旦该区块处于静态，晶体管的浮动栅极上的电位电压便将发生变化。对于一NAND型闪存，当区块长时间处于静态时，该电位电压将会升高。更具体说，对于一NAND型闪存，当该NAND型闪存被读取时，电子会流出浮动栅极，致使电位电压升高。换言之，当该区块被再次读取时，变化的电位电压可能会存在错误。上述现象被称作读取扰动，且闪存不能得到正确读取。而且，数据可能会丢失并无法再被撷取。

因此，修改被过度读取的数据区块以防止出现读取扰动甚为重要。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种非挥发性存储装置，包含一管理单元、一查找表(look-up table)及一控制器。该管理单元包含多个数据区块及多个备用区块。该查找表适合记录该管理单元的一读取状态。该控制器是用以读取该管理单元并产生代表该管理单元已被读取的次数的该读取状态至该查找表。当该管理单元被读取的次数超过一参考值时，该控制器相应该读取状态而以备用区块取代这些数据区块。

本发明的另一目的在于提供一种存取非挥发性存储装置的方法。该非挥发性存储装置包含多个管理单元，这些管理单元具有多个数据区块及多个备用区块。该方法包含下列步骤：借由读取该管理单元而产生一读取状态，其中该读取状态代表该管理单元已被读取的次数；以及当该管理单元已被读取的次数超过一参考值时，相应该读取状态，借由这些备用区块中的其中之一取代这些数据区块中的其中之一。

借由此种配置，本发明能够降低管理单元中同一数据区块被读取的次数，以防止出现读取扰动。

附图说明

以下将配合附图对本发明的较佳实施例进行详细说明，以便所属技术领域具有通常知识者更清楚可了解本发明的其它目的，以及本发明的技术手段及实施态样，其中；

图1是一例示本发明的一非挥发性存储装置的方块图；

图2例示根据图1的装置的变化形式；以及

图3是一例示用于存取一非挥发性存储装置的方法的流程图。

具体实施方式

本发明提供一种非挥发性存储装置及用于存取一非挥发性存储装置的方法。当一数据区块被读取的次数达到一参考值时，便利用平均磨损(wear-leveling)以一备用区块取代该数据区块。

图1是一方块图，例示本发明的一非挥发性存储装置1，其中非挥发性存储装置1通过一接口(例如一通用串行总线(universal serial bus；USB))连接至一主机19。非挥发性存储装置1包含一管理单元11、一查找表13及一控制器15。管理单元11包含多个数据区块111及多个备用区块112。查找表13适合记录管理单元11的一读取状态。当控制器15接收到来自主机19的一命令时，控制器15便读取管理单元11，而产生代表管理单元11已被读取的次数的读取状态，并储存该读取状态于查找表13中。

该读取状态是指示管理单元11的读取计数。当管理单元11已被读取的次数超过一参考值时，控制器15将相应该读取状态，以备用区块112其中之一取代数据区块111其中之一。更具体说，该读取状态可指示读取计数的种类，例如，该读取状态是指示一总读取计数及一特定读取计数，该总读取计数代表这些数据区块已被读取的次数，该特定读取计数则代表最后被读取的一数据区块的次数。当该总读取计数增大时，管理单元11即需要进行平均磨损。当该总读取计数超过一参考值时，即意味着管理单元11已被读取达某一次数，此时控制器15对管理单元11进行平均磨损，以使用一备用区块取代最后被读取的数据区块。然后，于平均磨损后，控制器15重新计算总读取计数。由于借由一备用区块取代该数据区块，该备用区块此时映像至该数据区块的逻辑地址，以连续地维护该数据并防止因读取扰动而导致数据遗失。