[发明专利]衬底支承设备有效
| 申请号: | 200810126446.3 | 申请日: | 2008-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN101364561A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
| 发明(设计)人: | 孙锡民 | 申请(专利权)人: | 爱德牌工程有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈英俊;李瑞海 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 支承 设备 | ||
技术领域
这里描述的一个或者多个实施例涉及处理包括半导体衬底在内的衬底。
背景技术
半导体器件和平板显示器是通过在衬底上执行照相、蚀刻、扩散、淀积以及其他工艺制成的。这些工艺是在具有移动部件的设备中执行的,该移动部分可能损坏最终衬底的性能或者对最终衬底的性能有其他不利的影响。
发明内容
根据本发明的一个方面,提供了一种衬底支承设备,包括:隔开对应于或者超过衬底宽度的距离的第一轴和第二轴;用以支承所述衬底的线材,所述线材具有结合于所述第一轴和所述第二轴的相应者的端部;以及传感器,用以检测所述线材中的断裂。
根据本发明的另一方面,还提供了一种用于支承衬底的方法,包括:提供至少一根线材,所述线材具有分别结合到第一轴和第二轴的端部,所述第一轴和所述第二轴隔开对应或者超过衬底宽度的距离;以及将所述至少一根线材升起到预定位置,所述衬底被所述至少一根线材在所述预定位置支承。
附图说明
图1a~图1c是示出一种类型的衬底支承设备的示意图。
图2~图4是示出另一种类型衬底支承设备的一个实施例的示意图。
图5是示出另一种类型衬底支承设备的一个实施例的示意图。
图6a~图6c是示出前述衬底支承设备实施例中一个或者多个的操作的示意图。
具体实施方式
图1a示出了一种类型的衬底处理设备,该设备包括在腔室100中的上电极110和下电极120。在操作中,衬底经过闸阀G被传送(例如通过机器人)进腔室中并被放置在下电极上。支承设备130用来将衬底放置在下电极上,以及/或者一旦处理完成时从腔室撤出衬底。
衬底支承设备包括穿过下电极的多个升降销131、与升降销一起设置的销板132、以及用来上、下升降销板的升降单元133。
当闸阀G在图1a所示状态下打开时,载运衬底的机器人臂经过该闸阀进入到腔室中。如图1b所示,当机器人臂进入腔室中时,销板132立即被升起,使升降销131穿过下电极。当升降销从下电极伸出时,所载运的衬底S从机器人被传送到升降销上。当销板被降下时,升降销穿过下电极返回,由此将衬底放置在下电极上,如图1c所示。
当升降销在升起和降下过程中接触衬底时,附着到销最上面部分的异物可能造成在衬底上形成污点。还有,升降销的位置是固定的,不能被改变,因为在任何其他位置,这些销将不能够穿过下电极中的相应孔。还有,升降销可能损坏形成在衬底上的图案,而且当在没有首先检测到一个或者多个升降销受到破坏的情况下执行工艺时,可能会发生进一步的损害。
图2和图3示出另一种类型的衬底支承设备30的实施例。这个设备包括在下电极20的相应侧平行设置的第一支承件31a和第二支承件31b。下电极被插置于第一和第二支承件之间,并且在第一和第二支承件上分别形成第一组合孔31ah和第二组合孔31bh。
第一轴32a插入组合孔31ah中的三个,第二轴32b插入组合孔31bh中的三个。这种插入可以例如通过将轴旋进孔中来执行。线材33被连接到彼此面对的相应的一对轴32a和32b。在图3中,三根线材被示出在使用着。但是,在其他实施例中,可以使用不同数量的线材(例如1根或者多根)。还有,线材之间的间隙或者空间可以例如基于组合孔的位置进行确定。
线材的位置可以基于(例如对应于或者避开)形成在衬底上的图案设定或者改变。通过设定或者改变线材的位置,可以例如防止线材接触并因此损坏含有图案的衬底部分。
衬底支承设备还包括分别连接到第一、第二支承件31a、31b的下端的升降单元33a和33b。在工艺之前、中间以及/或者之后,升降单元操作以按照需要上、下升降第一、第二支承件31a、31b。
衬底支承设备还可以包括传感器34以检测在一根或者多个线材中存在 的断裂。通过将信号(例如电流、电压或者功率信号)施加到线材一端然后在该线材的相对端检测信号存在或者不存在,传感器可以检测断路(或者短路)。其他类型的传感器可以用于这个目的。没有解释的附图标记“50”表示衬底传送机器人。
参见图4,一个或者多个沟槽22形成在下电极20的上表面上,以在框架31a和31b被向下降时接收相应的线材33。在其他实施例中,这些沟槽可以不形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





