[发明专利]图像感测装置

权利要求书

1.一种图像感测装置，包括：

基板，具有像素区以及至少一个集成电路，所述至少一个集成电路位于该像素区的该基板内；以及

光电二极管，设置于该像素区的该基板的上方，包括：

下电极，设置于该基板上，其中该下电极电连接至该集成电路；

光电转换层，设置于该下电极的上方，其中该光电转换层包括至少一个子层且该子层的上表面具有多个次微米凹口；以及

透明上电极，设置于该光电转换层的上方。

2.如权利要求1所述的图像感测装置，其中该光电转换层包括：

第一子层，具有第一导电型，且邻近该透明上电极；以及

第二子层，由本征半导体材料所构成，且设置于该第一子层与该下电极之间。

3.如权利要求2所述的图像感测装置，其中该光电转换层还包括：第三子层，具有相反于该第一导电型的第二导电型，且设置于该第二子层与该下电极之间。

4.如权利要求3所述的图像感测装置，其中所述多个次微米凹口排置于该第三子层的上表面。

5.如权利要求2所述的图像感测装置，其中所述多个次微米凹口排置于该第一子层的上表面。

6.如权利要求2所述的图像感测装置，其中所述多个次微米凹口排置于该第二子层的上表面。

7.如权利要求1所述的图像感测装置，其中所述多个次微米凹口具有不同的宽度以及不同的间距。

8.如权利要求1所述的图像感测装置，其中所述多个次微米凹口的数量与该光电二极管的尺寸成正比。

9.如权利要求1所述的图像感测装置，其中该光电转换层由本征半导体材料所构成，且该光电转换层内具有N型或P型的掺杂区，与该透明上电极接触。

10.如权利要求9所述的图像感测装置，其中所述多个次微米凹口排置于掺杂区与该透明上电极之间的界面。

11.如权利要求1所述的图像感测装置，其中所述多个次微米凹口对称排置于该下电极的中心线的两侧。

12.如权利要求1所述的图像感测装置，其中所述多个次微米凹口非对称排置于该下电极的中心线的两侧。

13.如权利要求1所述的图像感测装置，其中该下电极由金属所构成。

14.如权利要求1所述的图像感测装置，其中该透明上电极由铟锡氧化物或铟锌氧化物所构成。

15.如权利要求1所述的图像感测装置，其中该光电转换层由非晶硅、微晶硅、锗化硅、碲化镉、硒化镉、硫化镉、铜铟硒化物、铜铟镓硒化物、或染料敏化二氧化钛所构成。