[发明专利]等离子体处理装置及其上电极板

权利要求书

1.一种上电极板，安装于一腔体内，该腔体设置有一托板，该上电极板包含：

一第一表面；

一第二表面，对应该第一表面；

至少一个气体扩散孔，由该第一表面延伸至该第二表面，用以导入一制程气体；

至少一个定位孔，由该第一表面延伸至该第二表面，一锁固元件由该第一表面锁入该定位孔而定位于该托板；及

至少一个封孔块，位于该定位孔内而阻隔该制程气体由该第二表面流至该锁固元件。

2.如权利要求1所述的上电极板，其中该第一表面实质上平行该第二表面。

3.如权利要求1所述的上电极板，其中该气体扩散孔包含：

一第一扩散部，位于该第一表面；

一第二扩散部，位于该第二表面；及

一连通部，连接该第一扩散部与该第二扩散部。

4.如权利要求1所述的上电极板，其中该气体扩散孔内的该制程气体由该第一表面流至该第二表面。

5.如权利要求1所述的上电极板，其中该制程气体为六氟化硫、三氟化氮、四氟化碳或氯化氢。

6.如权利要求1所述的上电极板，其中该定位孔包含：

一第一定位部，位于该第一表面；

一第二定位部，位于该第二表面；及

一颈部，连接该第一定位部与该第二定位部。

7.如权利要求6所述的上电极板，其中该锁固元件锁固于该第一定位部。

8.如权利要求6所述的上电极板，其中该封孔块位于该第二定位部。

9.如权利要求6所述的上电极板，其中该封孔块位于该颈部。

10.一种等离子体处理装置，包含：

一托板；

一下电极板，位于该托板的下方；及

一上电极板，位于该托板与该下电极板之间，包含：

一第一表面，面向该托板；

一第二表面，对应该第一表面，面向该下电极板；

至少一个气体扩散孔，由该第一表面延伸至该第二表面，用以导入一制程气体至该上电极板与该下电极板之间；

至少一个定位孔，由该第一表面延伸至该第二表面，一锁固元件由该第一表面锁入该定位孔而定位于该托板；及

至少一个封孔块，位于该定位孔内而阻隔该制程气体由该第二表面流至该锁固元件。

11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其中该等离子体处理装置还包含：一气体供应单元，用以供应该制程气体。

12.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其中该第一表面实质上平行该第二表面。

13.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其中该气体扩散孔包含：

一第一扩散部，位于该第一表面；

一第二扩散部，位于该第二表面；及

一连通部，连接该第一扩散部与该第二扩散部。

14.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其中该气体扩散孔内的该制程气体由该第一表面流至该第二表面。

15.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其中该制程气体为六氟化硫、三氟化氮、四氟化碳或氯化氢。

16.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其中该定位孔包含：

一第一定位部，位于该第一表面；

一第二定位部，位于该第二表面；及

一颈部，连接该第一定位部与该第二定位部。

17.如权利要求16所述的等离子体处理装置，其中该锁固元件锁固于该第一定位部。

18.如权利要求16所述的等离子体处理装置，其中该封孔块位于该第二定位部。

19.如权利要求16所述的等离子体处理装置，其中该封孔块位于该颈部。