[发明专利]氧化石墨单片层/聚苯胺导电复合膜及其制备方法无效
| 申请号: | 200810122842.9 | 申请日: | 2008-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN101492253A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
| 发明(设计)人: | 郝青丽;汪信;王华兰;杨绪杰;陆路德;朱俊武;刘孝恒;江晓红;卑凤利;韩巧凤;武晓东 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
| 主分类号: | C03C17/34 | 分类号: | C03C17/34;C04B41/89 |
| 代理公司: | 南京理工大学专利中心 | 代理人: | 朱显国 |
| 地址: | 210094*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氧化 石墨 单片 苯胺 导电 复合 及其 制备 方法 | ||
1、一种氧化石墨单片层/聚苯胺导电复合膜,其特征在于由以下步骤制备而得:
第一步,将聚二丙烯基二甲基氯化铵PDMA加入水中超声或搅拌,形成均匀的PDMA溶液;
第二步,将清洗干净的基片浸泡到第一步溶液中,然后冲洗;
第三步,将单片层石墨加到水中超声分散,形成均匀分散的单片层氧化石墨混合液;
第四步,将第二步所得的基片浸泡到第三步所得混合液中,然后冲洗;
第五步,将第四步所得基片浸泡在苯胺、氧化剂、掺杂酸的混合溶液中进行反应,然后冲洗得到自组装在基片上的氧化石墨单片层/聚苯胺单层导电复合膜。
2、根据权利要求1所述的氧化石墨单片层/聚苯胺导电复合膜,其特征在于用第五步所得基片重复第二步至第五步的步骤,即可得到自组装在基片上的氧化石墨单片层/聚苯胺多层导电复合膜。
3、一种氧化石墨单片层/聚苯胺导电复合膜的制备方法,包括以下步骤:
第一步,将聚二丙烯基二甲基氯化铵PDMA加入水中超声或搅拌,形成均匀的PDMA溶液;
第二步,将清洗干净的基片浸泡到第一步溶液中,然后冲洗;
第三步,将单片层石墨加到水中超声分散,形成均匀分散的单片层氧化石墨混合液;
第四步,将第二步所得的基片浸泡到第三步所得混合液中,然后冲洗;
第五步,将第四步所得基片浸泡在苯胺、氧化剂、掺杂酸的混合溶液中进行反应,然后冲洗得到自组装在基片上的氧化石墨单片层/聚苯胺单层导电复合膜。
4、根据权利要求3所述的氧化石墨单片层/聚苯胺导电复合膜的制备方法,其特征在于用第五步所得基片重复第二步至第五步的步骤,即可得到自组装在基片上的氧化石墨单片层/聚苯胺多层导电复合膜。
5、根据权利要求3所述的氧化石墨单片层/聚苯胺导电复合膜的制备方法,其特征在于:掺杂酸为无机酸或有机酸,氧化剂为过硫酸铵、三氯化铁或双氧水。
6、根据权利要求3所述的氧化石墨单片层/聚苯胺导电复合膜的制备方法,其特征在于:基片是玻璃、导电玻璃、石英或其它陶瓷片;PDMA的质量浓度为0.1~10%,氧化石墨的质量浓度为0.1~1mg/ml,苯胺单体与氧化剂的摩尔用量之比1∶1~4∶1,氧化剂与掺杂酸的摩尔用量之比为1∶2~1∶5;其中,分散剂、苯胺单体的用量,以毫升计;PDMA、氧化剂、氧化石墨的用量,以毫克计;掺杂酸的用量以毫升计。
7、根据权利要求3所述的氧化石墨单片层/聚苯胺导电复合膜的制备方法,其特征在于:第二步和第四步的浸泡时间为15~120min。
8、根据权利要求3所述的氧化石墨单片层/聚苯胺导电复合膜的制备方法,其特征在于:氧化石墨的超声时间为10~30min。
9、根据权利要求3所述的氧化石墨单片层/聚苯胺导电复合膜的制备方法,其特征在于:第五步的聚苯胺反应时间为1~12h。
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