[发明专利]一种低镍高锰高铬奥氏体球墨铸铁及其工艺方法无效
| 申请号： | 200810121009.2 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101363098A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 金仕善 | 申请（专利权）人： | 金仕善 |
| 主分类号： | C22C37/10 | 分类号： | C22C37/10;C22C33/08 |
| 代理公司： | 温州高翔专利事务所 | 代理人： | 陈庆吼 |
| 地址： | 325105浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低镍高锰高铬 奥氏体 球墨铸铁 及其 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低镍高锰高铬奥氏体基体的球墨铸铁，其特征在于所述球墨铸铁的重量百分组成为：C 0.7-1.5％、Si 1-2.3％、Mn 9-15％、Ni 2-5％、Cr 14-17％、Cu 1-3％、其余为Fe。
2.根据权利要求1所述的低镍高锰高铬奥氏体基体的球墨铸铁，其特征在于所述球墨铸铁的重量百分组成为：C 1.0％、Si2％、Mn 11％、Ni 2.5％、Cr 14.5％、Cu 2.7％、其余为Fe。
3.根据权利要求1所述的低镍高锰高铬奥氏体基体的球墨铸铁，其特征在于所述球墨铸铁的重量百分组成为：C 1％、Si 2.2％、Mn 12.50％、Ni 3.8％、Cr 14.5％、Cu 2％、其余为Fe。
4.制备权利要求1所述的低镍高锰高铬奥氏体基体的球墨铸铁的工艺方法，其特征在于：
1)所用炉料包括普通生铁、废钢、回炉料、低碳锰铁、电解镍、铬铁、电解铜、硅铁；
2)炉料的出炉温度在1650℃以上；
3)在浇包内加入硅铁和硅钙进行孕育处理，或者在浇包内加入硅铁，然后在浇注时随铁水流加入硅钙进行瞬时孕育处理；
其中硅钙加入量占炉料的重量百分组成为0.5-0.8％。
5.根据权利要求4所述的低镍高锰高铬奥氏体基体的球墨铸铁的工艺方法，其特征在于用电炉或中频炉熔化炉料。
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