[发明专利]一种监控片的重复利用方法无效
| 申请号： | 200810119158.5 | 申请日： | 2008-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101383269A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 江瑞星;王焜;李熙;黄茹 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01J37/244 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张颖玲;王黎延 |
| 地址： | 100871北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 监控 重复 利用 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种监控片的重复利用方法，其特征在于，该方法包括:
A、将经过中束流离子注入的监控片进行快速退火，修复监控片表面因离子注入造成的晶格损伤；
B、将修复后的监控片用于中束流离子注入监控。
2、根据权利要求1所述的监控片的重复利用方法，其特征在于，该方法进一步包括步骤C:
设置热波值门限，测量快速退火后的监控片的热波值，并与热波值门限比较，如果热波值高于热波值门限，则对监控片再次进行快速退火；否则，结束当前流程。
3、根据权利要求2所述的监控片的重复利用方法，其特征在于，步骤C中对监控片再次进行快速退火的温度，高于步骤A中快速退火的温度。
4、根据权利要求2所述的监控片的重复利用方法，其特征在于，步骤C中对监控片再次进行快速退火恒温时间长于步骤A中快速退火的时间。
5、根据权利要求1所述的监控片的重复利用方法，其特征在于，步骤A中快速退火的温度为800℃以上。
6、根据权利要求1所述的监控片的重复利用方法，其特征在于，步骤A中快速退火恒温时间为20秒以上。
7、根据权利要求1所述的监控片的重复利用方法，其特征在于，所述中束流离子注入能量大于40千伏。
8、根据权利要求1所述的监控片的重复利用方法，其特征在于，所述中束流离子注入剂量为5.0×1012离子数/平方厘米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
