[发明专利]液晶显示装置的阵列基板制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示装置的阵列基板制造方法，包括预置层的制作和后置层 的制作，其特征在于，所述预置层的制作具体为：

第一次掩模工艺，在基板上依次沉积第一透明导电层和第一金属层之后 涂布光刻胶，采用单调掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻，形成显示区域图 案、栅线和从所述栅线分支出来的栅电极，并去除残留的光刻胶；

第二次掩模工艺，在经过所述第一次掩模工艺的基板上依次沉积第一绝 缘层、半导体层、掺杂半导体层和第二金属层并且涂布光刻胶，采用第一双 调掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻，形成硅岛图案和数据线图案并且在所 述显示区域露出所述第一金属层，对所述光刻胶进行灰化工艺之后再进行蚀 刻，在所述硅岛图案上形成沟道、与所述数据线连接的源电极和漏电极并且 在所述显示区域图案上形成板状电极；

第三次掩模工艺，在经过所述第二次掩模工艺的基板上涂布第二绝缘层， 采用第二双调掩模板进行曝光显影之后进行第一次蚀刻，在所述漏电极上形 成过孔，对所述光刻胶进行灰化工艺之后沉积第二透明导电层，剥离残留的 光刻胶之后在所述显示区域形成通过所述过孔与所述漏电极连接的缝隙电 极。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在 于，采用单调掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻，形成具有缝隙的显示区域 图案，所述缝隙与由第二透明导电层构成的缝隙电极的缝隙方向相同，并且 位置相互错开。

3.根据权利要求1所述的液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在 于，所述第二次掩模工艺中所述板状电极为公共电极。

4.根据权利要求1所述的液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在 于，所述第三次掩模工艺中所述缝隙电极为像素电极。

5.根据权利要求1所述的液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在 于，所述第一双调掩模板和所述第二双调掩模板分别为灰调掩模板或者裂条 掩模板。

6.根据权利要求1所述的液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在 于，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层分别为氧化铟锡。

7.根据权利要求1所述的液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在 于，所述第一金属层和所述第二金属层分别为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或 Cr的单层结构，或者为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW、Ti或Cr任意组合所构 成的复合层结构。

8.根据权利要求1所述的液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在 于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层分别为SiNx、SiOx或SiOxNy的单层 结构，或者为SiNx、SiOx或SiOxNy任意组合所构成的复合层结构。