[发明专利]大直径硅片的制造方法无效
| 申请号： | 200810118812.0 | 申请日： | 2008-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101656195A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 闫志瑞;库黎明;索思卓;黄军辉;葛钟;陈海滨;张国栋;盛方毓 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/302;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直径 硅片 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大直径硅片的制造方法，它包括以下的步骤：
(1)将磨削后的硅片进行HF溶液漂洗，去除磨削后硅片表面的氧化层，提高双面抛光的去除速度；
(2)、将磨削片进行常规双面抛光；
(3)、将硅片进行单面精抛和清洗
2、按照权利要求书1所述的大直径硅片的制造方法，其特征在于：在(1)与(2)之间有一边缘抛光工艺或(2)与(3)之间有一边缘抛光工艺。
3、按照权利要求书1或2所述的大直径硅片的制造方法，其特征在于：在每一步骤后接一清洗工艺。
4、按照权利要求书3所述的大直径硅片的制造方法，其特征在于：其特征在于：在每一清洗工艺后加有干燥工艺。
5、按照权利要求书1所述的大直径硅片的制造方法，其特征在于：漂洗时间为0＜t＜60分钟，温度为15～60℃。
6、按照权利要求书1或5所述的大直径硅片的制造方法，其特征在于：双面抛光去除量为10～30微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
