[发明专利]一种等离子腔室及其温度控制方法

权利要求书

1.一种等离子腔室，其特征在于，包括：下腔体，位于下腔体上面的上腔体，位于下腔体底部的基片支承装置和位于上腔体之中的控温模块；所述上腔体具有侧壁和覆盖于侧壁上的介质窗；所述下腔体、上腔体之间形成等离子腔室的内腔；其中，

所述控温模块包括加热单元、测温单元和冷却单元；所述加热单元和冷却单元设置于所述上腔体的侧壁内，所述测温单元设置于介质窗的上表面或侧面；其中，加热单元用于对所述上腔体加热，测温单元用于测量所述介质窗的温度，冷却单元用于对所述上腔体冷却。

2.根据权利要求1所述的等离子腔室，其特征在于，所述测温单元位于介质窗上表面直径200mm至直径350mm的环形区域内。

3.根据权利要求1或2所述的等离子腔室，其特征在于，所述测温单元为抗射频干扰的热电偶或光纤测温装置。

4.根据权利要求1所述的等离子腔室，其特征在于，所述加热单元为沿上腔体的周长方向环绕上腔体侧壁的加热带。

5.根据权利要求4所述的等离子腔室，其特征在于，所述加热带环绕成直径为500mm至700mm的圆形。

6.根据权利要求1所述的等离子腔室，其特征在于，所述加热单元为分布于上腔体的侧壁内的至少4个加热棒。

7.根据权利要求1所述的等离子腔室，其特征在于，所述冷却单元为沿上腔体的周长方向环绕上腔体侧壁的冷却液通道。

8.根据权利要求1所述的等离子腔室，其特征在于，所述加热单元和冷却单元集成为一个部件，该部件沿上腔体的周长方向环绕上腔体的侧壁。

9.一种用于权利要求1所述的等离子腔室的温度控制方法，其特征在于，包括：

设定等离子腔室的内腔温度T₁，设定所述等离子腔室上腔体的介质窗温度T₂，其中T₂大于T₁；

通过下腔体和基片支承装置中的温度控制装置对所述内腔加热而达到并稳定在设定内腔温度T₁；

位于上腔体中的控温模块控制介质窗达到并稳定在设定的介质窗温度T₂。

10.根据权利要求9所述的温度控制方法，其特征在于，所述在控温模块的控制下使介质窗达到并稳定在设定的介质窗温度T₂包括：

通过所述控温模块的加热单元对上腔体进行加热使介质窗升温，并且通过所述控温模块的冷却单元对上腔体进行冷却控制介质窗升温速度；

测温单元监控介质窗的实际温度，当实际温度达到设定温度T₂后，通过加热单元对上腔体的加热和冷却单元对上腔体的冷却而使介质窗的温度稳定在设定温度T₂。