[发明专利]形成浅沟槽隔离结构的方法及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，包括：

提供一硅片，该硅片中具有半导体衬底；

对半导体衬底进行刻蚀，在硅片的中央区域和边缘区域的半导体衬底中形成围绕硅片中心对称分布的至少100个沟槽；

在所述沟槽内形成覆盖沟槽的侧壁和底面垫氧化物层，其中在硅片边缘区域沟槽内形成的所述垫氧化物层的厚度大于在硅片中央区域沟槽内形成的所述垫氧化物层的厚度；

在沟槽内垫氧化物层上填充氧化物，使沟槽内氧化物的表面与半导体衬底表面在同一个平面。

2.如权利要求1所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，还包括，

在硅片上形成半导体衬底之后还包括，在硅片的正面的半导体衬底上和背面形成介质层；

在形成沟槽时，对所述半导体衬底上的介质层进行刻蚀；

在形成沟槽之后，去除硅片背面的所述介质层，得到的硅片边缘向硅片背面弯曲。

3.如权利要求2所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，硅片中央区域的垫氧化层厚度为43埃±1埃，硅片边缘区域的所述垫氧化物层厚度从43埃±1埃向45埃±1埃逐渐随距离硅片中心的距离的增加而递增。

4.如权利要求2所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，所述垫氧化物层利用热氧化的方法得到。

5.如权利要求4所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，所述热氧化的方法包括：将硅片置于热氧化反应室内加热，使腔内硅片边缘区域加热的温度大于硅片中央区域加热的温度。

6.如权利要求5所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，所述加热的方法包括：在所述热氧化反应室内设置照射硅片边缘区域的边缘光源和照射硅片中央区域的中央光源，设置所述边缘光源温度高于所述中央光源的温度。

7.如权利要求6所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，所述的边缘光源的温度比所述中央光源的温度高3℃-5℃。

8.如权利要求2或5任意一项所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，所述的硅片边缘区域为距离硅片边缘0.05倍硅片直径长度的区域，所述的硅片中央区域为距离硅片中心0.4倍硅片直径长度的区域。

9.一种包括权利要求1至6任意一项所述的形成浅沟槽隔离结构的方法的半导体器件的制造方法，其特征在于，还进一步包括：在硅片上形成栅极。