[发明专利]利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法

权利要求书

1.一种利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：利用标准的光刻工艺在Ⅲ族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；

步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的Ⅲ族氮化物置于高能紫外光下曝光，使具有图案的暴露的Ⅲ族氮化物在紫外光辅助下发生氧化，生成金属氧化物；

步骤3：去除掩蔽层；

步骤4：将曝光后的Ⅲ族氮化物的样品放在酸或碱性溶液中，将生成的金属氧化物完全腐蚀掉，形成带有图案的刻蚀台阶，完成湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的工艺。

2.根据权利要求1所述的利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法，其特征在于，其中所述的Ⅲ族氮化物的材料为：GaN、AlN或InN或由它们组成的三元或者其他多元化合物。

3.根据权利要求1所述的利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法，其特征在于，其中所述的紫外光曝光，是通过曝光时间和紫外光强度来控制生成金属氧化物的厚度，从而控制刻蚀的深度。

4.一种利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：将Ⅲ族氮化物置于聚焦的紫外激光器下曝光，通过计算机控制步进马达来移动样品或者激光器，使被曝光的区域在紫外激光辅助下发生氧化，生成金属氧化物；

步骤2：将曝光后的Ⅲ族氮化物置于酸或碱性腐蚀液中，将生成金属氧化物完全腐蚀掉，形成带有图案的刻蚀台阶，完成湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的工艺。

5.根据权利要求4所述的利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法，其特征在于，其中所述的Ⅲ族氮化物的材料为：GaN、AlN或InN或由它们组成的三元或者其他多元化合物。

6.根据权利要求4所述的利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法，其特征在于，其中所述的聚焦的紫外激光曝光，是通过曝光时间和激光强度来控制生成金属氧化物的厚度，从而控制刻蚀的深度。

7.一种利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：利用分光镜将紫外激光器发出的紫外激光束分成两束相干的紫外光，调整光路使两束相干紫外光束发生干涉形成明暗相间的干涉条纹；

步骤2：将Ⅲ族氮化物置于相干激光束下曝光，被曝光的区域在紫外激光辅助下发生氧化，生成金属氧化物；

步骤3：将曝光后的Ⅲ族氮化物的样品置于酸或碱性腐蚀液中，将生成金属氧化物完全腐蚀掉，形成带有条纹状刻蚀台阶，完成湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的工艺。

8.根据权利要求7所述的利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法，其特征在于，其中所述的Ⅲ族氮化物的材料为：GaN、AlN或InN或由它们组成的三元或者其他多元化合物。

9.根据权利要求7所述的利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法，其特征在于，其中所述的相干激光束曝光，是通过曝光时间和激光强度来控制生成金属氧化物的厚度，从而控制刻蚀的深度。

10.根据权利要求7所述的利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法，其特征在于，其中所述的相干激光束曝光，是通过调整激光波长来控制曝光区域的宽度和间隔，从而控制刻蚀的条纹状刻蚀台阶的宽度和间隔。