[发明专利]采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法无效
| 申请号： | 200810116041.1 | 申请日： | 2008-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101620999A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 鞠研玲;杨晓红;韩勤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 氢氧化铵 腐蚀 制备 型槽砷化镓 图形 衬底 方法 | ||
1、一种采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：配置氢氧化铵腐蚀液；
步骤2：在衬底上制作一层光刻胶；
步骤3：光刻，使光刻胶形成条形光刻胶图案；
步骤4：将光刻好的衬底放入配好的腐蚀液中腐蚀，使衬底形成V型槽，取出，用去离子水反复清洗，然后氮气吹干；
步骤5：将吹干后的衬底用丙酮清洗掉残留的光刻胶，氮气吹干，完成V型槽砷化镓图形衬底的制作。
2、如权利要求1所述的采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法，其特征在于，其中氢氧化铵腐蚀液是由氨水、双氧水和去离子水以体积比为1∶3∶50-100混合而成。
3、如权利要求1所述的采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法，其特征在于，其中衬底为绝缘砷化镓(001)衬底。
4、如权利要求1所述的采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法，其特征在于，其中所述的条形光刻胶图案的方向为沿[-110]方向。
5、如权利要求1所述的采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法，其特征在于，其中所述的条形光刻胶图案未涂胶部分的宽度为1-8微米。
6、如权利要求1所述的采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法，其特征在于，其中所述的腐蚀是在避光条件下进行，腐蚀时间为4～6分钟。
7、如权利要求1所述的采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法，其特征在于，其中所述的V型槽两侧壁的夹角为71度～74度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
