[发明专利]凸点下金属层和连接垫层的形成方法有效
| 申请号： | 200810114066.8 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101592876A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;韩秋华;沈满华;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;G03F7/075;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 凸点下 金属 连接 垫层 形成 方法 | ||
1.一种凸点下金属层的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属层、绝缘介质层及位于绝缘介质层中的凹槽，金属层位于绝缘介质层之上以及凹槽内；
在金属层之上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层与所述金属层具有不同刻蚀选择比；
在硬掩膜层之上形成光刻胶层，定义出凸点下金属层形状；
以光刻胶层为掩膜刻蚀硬掩膜层；
去除光刻胶层；
以硬掩膜层为掩膜刻蚀金属层；
去除硬掩膜层。
2.根据权利要求1所述凸点下金属层的形成方法，其特征在于：所述硬掩膜层为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或者它们的组合。
3.根据权利要求2所述的凸点下金属层的形成方法，其特征在于：所述硬掩膜层的厚度为500埃至1000埃。
4.根据权利要求1所述凸点下金属层的形成方法，其特征在于：所述绝缘介质层为聚酰亚胺、苯并环丁烯、六甲基二硅胺烷中的一种或者它们的组合。
5.根据权利要求1所述凸点下金属层的形成方法，其特征在于：所述金属层为铝、钨、铜中的一种或者它们的合金。
6.一种连接垫层的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有绝缘介质层及位于绝缘介质层中的通孔；
在绝缘介质层之上和通孔内形成金属层；
在金属层之上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层与所述金属层具有不同刻蚀选择比；
在硬掩膜层之上形成光刻胶层，定义出连接垫层形状；
以光刻胶层为掩膜刻蚀硬掩膜层；
去除光刻胶层；
以硬掩膜层为掩膜刻蚀金属层；
去除硬掩膜层。
7.根据权利要求6所述连接垫层的形成方法，其特征在于：所述硬掩膜层为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或者它们的组合。
8.根据权利要求7所述的连接垫层的形成方法，其特征在于：所述硬掩膜层的厚度为500埃至1000埃。
9.根据权利要求6所述连接垫层的形成方法，其特征在于：所述绝缘介质层为聚酰亚胺、苯并环丁烯、六甲基二硅胺烷中的一种或者它们的组合。
10.根据权利要求6所述连接垫层的形成方法，其特征在于：所述金属层为铝、钨、铜中的一种或者它们的合金。
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