[发明专利]等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法及应力氮化硅膜的形成方法

权利要求书

1.一种等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法，其特征在于，包括：

将半导体基底置于等离子体处理腔室中，并对所述等离子体处理腔室执行抽真空处理；

向所述等离子体处理腔室中注入产生等离子体的物质；

向所述等离子体处理腔室中注入能受激产生紫外线的气体；

激励所述产生等离子体的物质形成等离子体，利用所述等离子体对所述半导体基底进行等离子体处理；

所述能够受激产生紫外线的气体受所述等离子体激发，转变成非稳态，而后所述能够受激产生紫外线的气体在由非稳态转变为稳态的过程中会辐射产生紫外线，所述紫外线的波长为100nm至360nm；

产生的紫外线辐射半导体基底表面。

2.如权利要求1所述的等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法，其特征在于：所述等离子体处理包括等离子体增强化学气相沉积、等离子体刻蚀或高密度等离子体化学气相沉积。

3.如权利要求1所述的等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法，其特征在于：所述能够受激产生紫外线的气体包括惰性气体或惰性气体与卤素的混合气体。

4.如权利要求3所述的等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法，其特征在于：所述惰性气体包括氦气、氖气、氩气、氪气、氙气、氡气中的一种或组合。

5.如权利要求3所述的等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法，其特征在于：所述卤素包括氟、氯、溴或碘。

6.如权利要求3所述的等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法，其特征在于：根据所述惰性气体的种类或惰性气体与卤素的种类和比例来确定所需要的紫外线的波长。

7.如权利要求1所述的等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法，其特征在于：所述紫外线处理工艺中的紫外线为单一波长的紫外线或具有混合波长的紫外线。

8.如权利要求1至7任一权利要求所述的等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法，其特征在于：向所述等离子体处理腔室中注入能受激产生紫外线的气体的方式包括一次性注入、间歇性多次注入或连续性注入。

9.一种应力氮化硅膜的形成方法，其特征在于，包括：

将半导体基底置于沉积工艺腔中；

向所述沉积工艺腔中注入含硅气体和含氮气体；

向所述沉积工艺腔中注入惰性气体或惰性气体与卤素的混合气体；

激励所述含硅气体和含氮气体，形成等离子体，所述等离子体在所述半导体基底表面反应，形成氮化硅膜；

所述惰性气体或惰性气体与卤素的混合气体在所述等离子体激发下，转变成非稳态，而后所述惰性气体或惰性气体与卤素的混合气体在由非稳态转变为稳态的过程中会辐射产生紫外线，所述惰性气体为氙气，所述紫外线的波长为172nm；

所述紫外线辐射所述氮化硅膜。