[发明专利]栅极及其形成方法无效
| 申请号： | 200810113986.8 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101593770A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 吴永坚;甘正浩;廖金昌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 及其 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种栅极，所述栅极形成于基底上，所述栅极包含多晶硅层，所述多晶硅层包括顶壁、与所述顶壁相对的底壁和由所述底壁边缘向上延伸后与顶壁接合的侧壁，其特征在于：至少部分所述侧壁与底壁间的夹角小于90度。
2.根据权利要求1所述的栅极，其特征在于：垂直于所述基底的栅极剖面呈梯形。
3.一种栅极形成方法，包括，
在基底上形成多晶硅层；
执行所述多晶硅层的第一刻蚀操作；
以包含溴基气体的刻蚀气体执行所述多晶硅层的第二刻蚀操作，形成栅极；
其特征在于：若获得垂直于所述基底的栅极时，通入的所述溴基气体的流量为a0，则通入所述溴基气体时的流量a大于a0。
4.根据权利要求3所述的栅极形成方法，其特征在于：执行所述第一刻蚀操作时采用包含溴基气体的刻蚀气体。
5.根据权利要求3所述的栅极形成方法，其特征在于：所述溴基气体为溴气或溴化氢中的一种或其组合。
6.根据权利要求3所述的栅极形成方法，其特征在于：所述刻蚀气体中还包括氯基气体。
7.根据权利要求6所述的栅极形成方法，其特征在于：所述氯基气体为氯气或四氯化碳中的一种或其组合。
8.根据权利要求3所述的栅极形成方法，其特征在于：所述刻蚀气体中还包含氧气及/或氦气。
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