[发明专利]MOS晶体管噪声模型形成方法、装置和电路模拟方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管噪声模型的形成方法，所述噪声模型用于模拟MOS晶体管漏端电流的1/f噪声，其特征在于，包括：

在常温下获得MOS晶体管的电流噪声密度Sid和频率f对应的测试值；

根据所述测试值和MOS晶体管的电流噪声密度Sid和频率f的数学关系获得常温系数K_f0和A_f0的值，其中，Tn为常温的温度，C_ox为MOS晶体管的栅介质层的单位面积电容，L_eff为MOS晶体管的有效沟道长度，W_eff为MOS晶体管的有效沟道宽度，g_m为MOS晶体管的跨导，T为温度，A和B为与温度相关参数；

改变测试温度，获得MOS晶体管在不同温度下的电流噪声密度Sid和频率f对应的测试值；

根据各温度下的测试值、常温系数K_f0和A_f0的值、以及电流噪声密度Sid和频率f的数学关系：

获得与不同温度对应的和的值；

拟合温度T与和的值，获得参数A和B的值。

2.根据权利要求1所述的MOS晶体管噪声模型的形成方法，其特征在于，所述获得常温系数K_f0和A_f0的值的步骤为：

将电流噪声密度Sid和频率f对应的测试值中的电流噪声密度Sid和频率f取对数，所述电流噪声密度Sid和频率f对数关系的斜率为常温系数A_f0的1/2的值；将电流噪声密度Sid和频率f测试值、A_f0的值代入电流噪声密度Sid和频率f的数学关系获得常温系数K_f0的值。

3.根据权利要求1所述的MOS晶体管噪声模型的形成方法，其特征在于，所述常温Tn为25℃。

4.根据权利要求3所述的MOS晶体管噪声模型的形成方法，其特征在于，所述各温度下的测试值包括常温下电流噪声密度Sid和频率f对应的测试值。

5.根据权利要求1所述的MOS晶体管噪声模型的形成方法，其特征在于，所述测试温度范围为-50℃～150℃。

6.根据权利要求1所述的MOS晶体管噪声模型的形成方法，其特征在于，所述g_m为在漏源电压Vds和栅源电压Vgs均为1.8V下的跨导。

7.一种MOS晶体管噪声模型的形成装置，所述噪声模型用于模拟MOS晶体管漏端电流的1/f噪声，其特征在于，包括：

常温测试单元，用于在常温下获得MOS晶体管的电流噪声密度Sid和频率f对应的测试值；

曲线方程单元，用于提供MOS晶体管的电流噪声密度Sid和频率f的数学关系其中，K_f0和A_f0为常温系数，Tn为常温的温度，C_ox为MOS晶体管的栅介质层的单位面积电容，L_eff为MOS晶体管的有效沟道长度，W_eff为MOS晶体管的有效沟道宽度，g_m为MOS晶体管的跨导，T为温度，A和B为与温度相关参数；

常温系数确定单元，用于根据常温测试单元的电流噪声密度Sid和频率f对应的测试值、以及曲线方程单元中的MOS晶体管的电流噪声密度Sid和频率f的数学关系，获得常温系数K_f0和A_f0的值；

测试单元，用于在不同温度下获得MOS晶体管的电流噪声密度Sid和频率f对应的测试值；

参数确定单元，用于根据各温度下的电流噪声密度Sid和频率f对应的测试值、常温系数确定单元中的常温系数K_f0和A_f0的值、以及曲线方程单元中的MOS晶体管的电流噪声密度Sid和频率f的数学关系，获得上述数学关系中的与不同测试温度对应的和的值，拟合温度T与和的值，获得参数A和B的值。

8.根据权利要求7所述的MOS晶体管噪声模型的形成装置，其特征在于，所述各温度下的电流噪声密度Sid和频率f对应的测试值包括常温测试单元的电流噪声密度Sid和频率f对应的测试值以及测试单元的电流噪声密度Sid和频率f对应的测试值。