[发明专利]一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置

权利要求书

1.一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置，其特征在于，其包含有： 

一密封操作箱，该密封操作箱为一矩形箱体，在密封操作箱的一背面开有两个圆孔，该密封操作箱的顶部有一个出气口，底部有一个进气口，正面有两个用于密封安装橡胶手套的操作口，该密封操作箱用于隔离大气，进行生长衬底片和外延样品的交接与传递； 

两个三通过渡连接件，该两个三通过渡连接件的端口为法兰端口，该两个三通过渡连接件的一端分别与该密封操作箱上的两个圆孔连接； 

两个石英管，该两个石英管的一端分别与两个三通过渡连接件的另一端水平连接； 

两个进气法兰盘，分别与两个石英管的另一端连接； 

两个热壁石墨腔室，分别位于两个石英管内部的中央处； 

两个加热器，分别套置于两个石英管外部的中央处，与两个热壁石墨腔室对应； 

一工作台，用于放置上述各部件； 

一真空样品交接室，该真空样品交接室的一端与密封操作箱的一侧壁连接，该真空样品交接室的下端有一个排气孔，该排气孔与外部的抽真空系统连接； 

一进样门，位于真空样品交接室与密封操作箱连接处内侧。 

2.如权利要求1所述的高温碳化硅双室热壁式外延生长装置，其特征在于，其中所述的两个三通过渡连接件的材料为不锈钢。 

3.如权利要求1或2所述的高温碳化硅双室热壁式外延生长装置，其特征在于，其中所述的两个三通过渡连接件的正下方有一排气口与外部抽真空系统连接。 

4.如权利要求1所述的高温碳化硅双室热壁式外延生长装置，其特征在于，其中所述的进样门上有一个充气阀门。 

5.如权利要求1所述的高温碳化硅双室热壁式外延生长装置，其特征在于，其中所述的两个进气法兰盘的盘面上各有一测温用玻璃窗口、一反应气体入口和一动力气入口。

6.如权利要求1所述的高温碳化硅双室热壁式外延生长装置，其特征在于，其中所述的两个热壁石墨腔室，分别各有一石墨感应加热体，两石英圆盖，该两石英圆盖分别位于石墨感应加热体的左右两端，用石墨螺钉连接。

7.如权利要求1或6所述的高温碳化硅双室热壁式外延生长装置，其特征在于，其中所述的两个热壁石墨腔室的石墨感应加热体，分别各有一圆筒状石墨毡保温材料、一高纯石墨体、一长方形样品托盘；圆筒状石墨毡保温材料位于高纯石墨体的外侧，该高纯石墨体中央有一矩形腔道，矩形腔道的底面上有一矩形凹槽，该矩形凹槽的表面有两道小凹槽，该长方形样品托盘放置于高纯石墨体中央矩形腔道底面上的矩形凹槽内，所述长方形样品托盘上有一个圆形衬底定位槽，所述高纯石墨体上有一圆孔、四个扇形通孔和一测温用圆形凹槽。

8.如权利要求1或6所述的高温碳化硅双室热壁式外延生长装置，其特征在于，其中两个热壁石墨腔室两端的两石英圆盖，其上中央位置各有一矩形通孔，与高纯石墨体的中央矩形腔道相对应，一石英圆盖上还有一个与高纯石墨体测温用圆形凹槽对应的圆形通孔和一个与高纯石墨体上的圆孔相对应的圆形通孔。