[发明专利]一种在炉管中沉积多晶硅的方法无效
| 申请号： | 200810110659.7 | 申请日： | 2008-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101603201A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 肖新民;邹同征;柴利林 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/12 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 屈小春 |
| 地址： | 215025江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 炉管 沉积 多晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种在炉管中沉积多晶硅的方法，其特征是，包括：
步骤一，在常压和第一预定温度下将晶片送入炉管内；
步骤二，在一预定压力和上述第一预定温度下沉积多晶硅薄膜；
步骤三，在常压和第二预定温度下将晶片从炉管中取出。
2、根据权利要求1所述的一种在炉管中沉积多晶硅的方法，其特征是，上述第一预定温度高于上述第二预定温度。
3、根据权利要求2所述的一种在炉管中沉积多晶硅的方法，其特征是，上述第一预定温度为540-600℃，第二预定温度为350-450℃。
4、根据权利要求1至3中任一项所述的一种在炉管中沉积多晶硅的方法，其特征是，上述预定压力的值为18-30帕。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于和舰科技（苏州）有限公司，未经和舰科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810110659.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
