[发明专利]光学构件、固态成像装置及其制造方法有效
申请号: | 200810110369.2 | 申请日: | 2008-06-04 |
公开(公告)号: | CN101320745A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 户田淳 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 构件 固态 成像 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种光学构件,其中在相对光轴的横向上交替地设置有具有大折射率的高折射率层和具有小折射率的低折射率层,所述高折射率层和所述低折射率层与光学长度相比都相对地薄;
并且其中所述高折射率层和所述低折射率层的每一个宽度都等于或者小于入射光的波长量级,
所述高折射率层每一个都对称设置,以在所述构件的机械中心非密集设置,而远离所述中心密集设置。
2.根据权利要求1所述的光学构件,其中所述高折射率层设置为使得所述高折射率层的每一个宽度朝着所述构件的机械中心逐渐减小;
并且其中所述低折射率层设置为使得所述低折射率层的每一个宽度朝着所述构件的机械中心逐渐增加。
3.根据权利要求1所述的光学构件,其中所述高折射率层设置为使得所述高折射率层的每一个宽度朝着所述构件的机械中心逐渐减小;
并且其中所述低折射率层设置为具有相等的宽度。
4.根据权利要求1所述的光学构件,其中所述低折射率层设置为使得所述低折射率层的每一个宽度朝着所述构件的机械中心逐渐增加;
并且其中所述高折射率层设置为具有相等的宽度。
5.一种固态成像装置,包括:
光学构件,其中具有大折射率的高折射率层和具有小折射率的低折射率层在相对光轴的横向上交替设置,所述高折射率层和所述低折射率层每一个与光学长度相比都相对地薄,并且所述高折射率层和所述低折射率层的每一个宽度等于或者小于入射光的波长量级,所述高折射率层每一个都对称设置,以在所述构件的机械中心非密集设置,而远离所述中心密集设置;以及
光接收部分,构造为接收通过所述光学构件的光。
6.根据权利要求5所述的固态成像装置,还包括:
像素阵列单元,其中多个所述光接收部分以一维或者二维方式排列;
其中对于对应于所述光接收部分的所述光学构件,采用所述高折射率层的每一个宽度在所述横向上对称设置的光学构件,以及所述高折射率层和所述低折射率层中至少一种层的每一个宽度在所述横向上非对称设置的另一光学构件;
并且其中对称设置的所述光学构件在所述像素阵列单元的中心使用,而非对称性越强的所述另一光学构件在越靠近所述像素阵列单元的端部的位置使用。
7.根据权利要求5所述的固态成像装置,还包括:
像素阵列单元,其中多个所述光接收部分以一维或者二维方式排列;
其中对于对应于所述光接收部分的所述光学构件,采用所述高折射率层的每一个宽度在所述横向上对称设置的光学构件,以及所述高折射率层和所述低折射率层中至少一种层的每一个宽度在所述横向上非对称设置的另一光学构件;
并且其中对称设置的所述光学构件在所述像素阵列单元的中心使用,且光学重心位置设置为越靠近所述像素阵列单元的端部的位置从所述光接收部分的中心向所述像素阵列单元的中心方向偏移。
8.一种光学构件的制造方法,包括步骤:
形成具有大折射率的高折射率层和具有小折射率的低折射率层中任何一种的膜;
形成多个开口部分,所述多个开口部分在所述膜的横向上排列;并且
以所述高折射率层和所述低折射率层中另一种埋入所述开口部分的每一个;
由此制造光学构件,其中所述高折射率层和所述低折射率层在相对光轴的横向上交替设置,所述高折射率层每一个都对称设置,以在所述构件的机械中心非密集设置,而远离所述中心密集设置。
9.一种固态成像装置的制造方法,包括步骤:
在形成有光接收部分的半导体基板上形成具有小折射率的低折射率层;
在所述低折射率层上形成具有大折射率的高折射率层;
在所述高折射率层对应于所述光接收部分的位置处形成多个开口部分,并且排列所述多个开口部分;以及
以所述低折射率层埋入所述开口部分的每一个;
由此制造与所述半导体基板一体的光学构件,在所述光学构件中所述高折射率层和所述低折射率层在相对光轴的横向上交替设置,所述高折射率层每一个都对称设置,以在所述构件的机械中心非密集设置,而远离所述中心密集设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的