[发明专利]氮化物半导体发光器件

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光器件，其特征在于包括：一个量子阱结 构的有源层，该有源层由含有铟和镓的氮化物半导体构成，并设置在 一个n型氮化物半导体层和一个P型半导体层之间；

所述n型氮化物半导体层含有第一n型覆盖层和第二n型覆盖层， 所述第一n型覆盖层由含有铟和镓的n型氮化物半导体或n型GaN构 成，所述第二n型覆盖层的带隙大于所述第一n型覆盖层的带隙；

所述P型半导体层含有一P型覆盖层，所述P型覆盖层由含有铝 和镓的P型氮化物半导体构成，并具有至1.0μm范围内的厚度，

其中所述第二n型覆盖层、所述第一n型覆盖层、所述有源层和 所述P型覆盖层按此顺序叠置。

2.根据权利要求1的器件，其特征在于所述第一n型覆盖层的厚 度是至1μm。

3.根据权利要求1的器件，其特征在于进一步包括一个由n型 GaN构成的n型接触层，并设置其在与所述第一n型覆盖层相反的一 侧与所述第二n型覆盖层相接触。

4.根据权利要求1的器件，其特征在于所述第二n型覆盖层由一 含有铝和镓的n型氮化物半导体构成。

5.根据权利要求4的器件，其特征在于进一步包括一个由n型 GaN构成的n型接触层并设置其与所述第二n型覆盖层相接触，并且 其特征还在于所述第二n型覆盖层由AlGaN构成。

6.根据权利要求1的器件，其特征在于进一步包括由GaN或 AlGaN构成的P型接触层，并且该P型接触层设置为在与所述有源层 相反的一侧与所述P型覆盖层接触。

7.根据权利要求1的器件，其特征在于所述第一n型覆盖层由 In_xGa_1-xN构成，其中x为0.5或更小。

8.根据权利要求1的器件，其中所述有源层为MQW结构。

9.根据权利要求8的器件，其中所述有源层由阱层和势垒层的叠 层形成，并且所述阱层和势垒层中的每一层为In_xGa_1-xN层，其中x为 0到1。

10.根据权利要求1的器件，其中所述有源层为SQW结构。